同轴磁控溅射离子镀膜在装铈膜和超硬膜中的应用

同轴式磁控溅射离子镀膜机是磁控溅射和离子镀膜相结合的一种镀膜设备。从不小于1.5×2m 大面积基底上所镀膜层的均匀性和实际应用的可行性来看,是一种较好的成膜手段。1.国内现状目前国内生产蒸发式镀膜设备的厂家不少。这种方法是以高纯铝丝或铁铬镍合金丝等作为膜材,在大面积上镀镜或镀建材玻璃膜。普遍认为蒸发膜存在着如下问题:     

Y1—xDyxBa2Cu3O7—δ（x=0.03,0.05）超导薄膜制备及性能

叙述了用双靶直流磁控溅射仪制备Ｙ１－ｘＤｙｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０．０３，０．０５）超导薄膜的工艺，按其工艺的薄膜Ｔｃ均大于８８Ｋ，随着ｘ值增加，Ｊｃ有上升趋势，ＸＲＤ，ＳＥＭ的结果表明镝掺杂膜有很好的ｃ轴取向，讨论了高温超导体钉扎机制。     

多弧离子镀与磁控溅射共沉积TiN/TiCN多层膜的高温抗氧化性能

TiN/TiCN多层膜的高温抗氧化性研究对于扩大其应用领域具有重要作用,但目前鲜见相关报道。采用多弧离子镀与磁控溅射技术以不同调制周期在304不锈钢表面共沉积TiN/TiCN多层膜。采用XRD、XPS、倒置显微镜及高温氧化试验研究了多层膜的高温抗氧化行为。结果表明:TiN/TiCN多层膜表面光滑平整、均匀致密,薄膜主要为具有Ti-(C,N)键的fcc-TiN结构;随着调制周期的减小,TiN/TiCN多层膜生长取向发生转变,且具有(111)晶面生长织构;随着氧化温度的升高,多层膜的显微硬度逐渐降低,氧化增重速率不断增大,且在700℃之后变化速率较快,薄膜的开始氧化温度约为750℃;随着调制周期的减小,多层膜TiN与TiCN界面层数量增多,促使晶粒细化,提高了其致密性,还隔断了缺陷贯穿薄膜的连续性,显著降低了薄膜的孔隙率,致使O原子扩散困难,增强了薄膜的高温抗氧化性能。     

专利技术

一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013-03-27申请(专利权)人:天津大学摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50~200 nm的硅基孔洞有序多孔硅,腐蚀液为6%~8%的氢氟酸水溶液,施加的腐蚀电流密度为115~135mA/cm2,腐蚀时间为5~25 min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,制备基     

Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究

采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究.结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si-C键振动减弱,Si-O基团的振动增强.样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度.     

基于DSP的磁控溅射电源的设计与实现

磁控溅射镀膜技术以高速、低温两大特点在真空镀膜工业中得到广泛应用,而靶材的异常放电会导致溅射过程不稳定,严重影响膜层质量.针对大型真空镀膜设备,从直流磁控溅射电源的等离子体负载特性出发,设计并研制了一款数字化的直流磁控溅射电源.该电源采用TMS320LF2407型DSP作为主控制器.详细介绍了主电路的拓扑结构、主要参数...     

磁控溅射a—Si／Ni多层膜的研究

利用超高真空多靶磁控溅射设备制备ａ－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜，经ＸＰＳ和Ｒａｍａｎ谱的分析研究表明；在所取工艺条件下制备的ａ－Ｓｉ／Ｎｉ我层膜为周期性的成份调制结构，以特殊的表面电极结构，讨论了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜的横向光电效应与周期结构参数的关系。     

溅射功率对CIGS吸收层前驱膜成分和结构的影响

采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuGa和CIG合金膜。采用SEM和XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构。着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中CuI、n、Ga比例。制备得到了Cu/(In Ga)原子比接近1,且Ga/(In Ga)比例可调的成分分布均匀的CIG薄膜。CIG前驱膜是以Cu11In9为基础相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。当溅射CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.26和0.10 W/cm2时,可制备得到由Cu11In9和CuIn两相组成的理想的CIG前驱膜。