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1.
半导体材料研究的新进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
王占国 《半导体技术》2002,27(3):8-12,14
首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设,社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格和量子阱材料,一维量子线,零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光学微腔和光子晶体材料,量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出发展我国半导体材料的建议。本文未涉及Ⅱ-Ⅵ族宽禁带与Ⅱ-Ⅵ族窄禁带红外半导体材料,高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se2,CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等。  相似文献
2.
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.  相似文献
3.
W及以上波段MMIC放大器的研究进展   总被引:3,自引:1,他引:2  
在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和SbHEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性.针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议.  相似文献
4.
磷化铟及相关材料的发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
5.
磷化铟晶体材料的应用进展研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
回顾了磷化铟(InP)晶体材料的发展过程,介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性,展望了磷化铟材料在我国的发展前景。  相似文献
6.
GaAs,GaP,InP,InGaAsP,AlGaAs,InAlGaAs的化学腐蚀研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAlGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。  相似文献
7.
φ100 mm掺硫InP单晶生长研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生.  相似文献
8.
A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.  相似文献
9.
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10~40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.  相似文献
10.
林世鸣 《半导体学报》1995,16(5):339-343
本文报道通过在位组分调整,配合X射线双晶衍射测试和光致发光测试,生长了与InP精确匹配的GaInAsP(失配度达4×10-4).生长了GaInAs/InP量子阶结构的光致发光半峰宽达5.72meV.实验表明源炉挡板开启后生长速率是不均匀的,这对生长量子阶和DBR结构是个值得注意的问题,经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符.  相似文献
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