全湿法、无灰化的全新去胶技术

在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在离子注入工艺中，图形化的光刻胶起掩模的作用，特别难以清除。大剂量的离子注入（〉1×l014ions／cm^2）将光刻胶表面脱氢并高度交联，其性能很像非晶碳。改性光刻胶的厚度由注入剂量、注入能量和注入离子种类决定。  

离子注入工艺简介

在过去的三十多年中，CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之，离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量，尤其是CMOS产品的性能，当线宽进入亚微米后，离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。  

2～3微米MOS IC离子注入工艺转换

本文叙述了从西门子、东芝引进的2～3微米MOSIC生产线上，由于离子注入设备的不同，在工艺转换过程中由中方技术人员所解决的几个重要问题。1．用固体（磷、砷）源成功地替代了气体（磷烷、砷烷）源材料．并用国产固体磷替代进口固体磷、用中阻圆片替代高阻圆片顺利完成了注入机的调试和工艺验收。2．通过调整大束流注入机的“T”、“K”因子及中束流注入机的“MASK”面积因子，把注入机校正到符合西门子（2μm）工艺规范；建立了与东芝所用注入机的相关数据曲线。3．首次在MOSIC生产线上采用图片注入后方块电阻分布图形分析法，来判断大束流注入机电子淋浴器工作情况，控制静电破坏，将Z476测试图形成品率由50％提高到98．08％以上。从而保证了IC成品率。离子注入是这条引进MOSIC生产线唯一没有外方专家现场指导的工艺，所有工艺转换及技术改进全部由中方技术人员独立完成，为国家节约专家费5万美元以上。  

用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能

常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.  

B+、As+离子注入工艺模拟模型的比较

对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾，介绍了在ＳｕｐｒｅｍⅣ中采用的双Ｐｅａｒｓｏｎ分布模型。通过对Ｂ＾＋及Ａｓ＾＋在不同剂量和能量下对硅中的注入，采用ＳＩＭＳ进行浓度分布测试，对双Ｐｅａｒｓｏｎ模型作了评估。  

几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,

本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。