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1.
MISiC高温氢气传感器研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
陈卫兵  宋跃 《微电子学》2003,33(5):380-382
文章报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作绝缘层,制备高灵敏度MISiC肖特基二极管式高温气体传感器的技术。采用NO直接氧化法,改善了器件的界面特性.实验结果显示,采用该方法制作的传感器具有高响应灵敏度和良好的响应重复性。  相似文献
2.
高性能Si基MOS肖特基二极管式氢气传感器研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器(SDS)的技术。实验结果显示,MOS肖特基二极管式气体传感器具有高的响应灵敏度和好的响应重复性,可以探测浓度约为10^-6的氢气。因此,采用NO直接氧化法制备绝缘层是一种制备高可靠、高灵敏度Si基MOS SDS的技术。  相似文献
3.
Design and Fabrication of Schottky Diode with Standard CMOS Process   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
Design and fabrication of Schottky barrier diodes (SBD) with a commercial standard 0.35μm CMOS process are described.In order to reduce the series resistor of Schottky contact,interdigitating the fingers of schottky diode layout is adopted.The I-V,C-V,and S parameter are measured.The parameters of realized SBD such as the saturation current,breakdown voltage,and the Schottky barrier height are given.The SPICE simulation model of the realized SBDs is given.  相似文献
4.
硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
《山东电子》1999,(1):36-37
5.
肖特基二极管(SBD)结构解剖与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析。阐述了金属-半导体表面势垒、多层金属(或合金)的元素、厚度及合金的成份比等。为研制SBD管器件提供了参考。  相似文献
6.
非晶硅肖特基二极管伏安特性的计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
7.
双频段应用的毫米波倍频—放大器组件   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ka波段CaAsMMIC放大器芯片组成的倍应一放大器混合集成组件,输出功率可达20dBm。  相似文献
8.
深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600~850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,其势垒高度ΦB为0.71eV,改善了肖特基二极管的稳定性。实验表明在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压。在外延层浓度为5E15cm-3时,深槽器件的击穿电压可以达到80V,比保护环器件高约30V。  相似文献
9.
离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
刘爽  宁永功  杨忠孝  陈艾  熊平  杨家德 《半导体学报》2000,21(10):1024-1027
Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.  相似文献
10.
W波段三倍频器的设计与仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了平衡倍频器的工作原理和结构,并使用商用肖特基势垒二极管DBES105a设计一个W波段宽带三倍频器。电路采用微带线制作,并安装在波导中。倍频器电路的波导微带过渡结构、低通滤波器和匹配枝节均使用电磁场分析软件HFSS仿真。最后在ADS中利用谐波平衡法对倍频器电路进行优化。仿真结果表明,当输入功率为20 dBm时,在80 GHz~100 GHz范围内,输出功率十分平稳,约为5 dBm。  相似文献
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