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1.
国外声表面波传感器开发近况   总被引:16,自引:2,他引:14  
以声表面波气体、温度和压力传感器为例,介绍了国外声表面波传感器的开发近况。指出了开发的重点、难点及今后的发展方向。  相似文献
2.
无线无源声表面波扭矩传感器的研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
转轴的扭矩测量一直是一个难解决的问题。声表面波传感器可以实现无源化并进行无线测量,从而可以应用于转轴的扭矩测量。文章阐述了声表面波扭矩传感器的设计、结构及相应的无线测量系统。  相似文献
3.
单层和双层材料中的脉冲激光超声数值模拟   总被引:10,自引:5,他引:5  
沈中华  许伯强  倪晓武  陆建 《中国激光》2004,31(10):275-1280
用有限元方法数值模拟激光热弹机制激发单层和双层材料中的超声波。分别建立激光在单层和双层材料中激发瞬态温度场和热弹机制激发超声波场的有限元模型,该模型考虑了激光作用过程中材料的热物理参数依赖于温度的特性。在单层铝板的厚度小于激光激发的超声波的中心波长时,数值模拟得到了兰姆波,主要是低频的非色散的对称模和色散的反对称模。随着铝板厚度的增加,更高阶的模式可以在板中传播,波形向表面波转化,得到了掠面纵波和瑞利波。进一步计算了Ni/Al和Al/Cu这两种双层材料中的不同接收距离处的垂直表面位移。由于表面波中的高频成分透入深度浅,在传播过程中受薄膜(涂层)的影响较大,而低频成分在传播过程中受基底的影响较大,因此在Ni/Al系统中得到了正常色散而在Al/Cu系统中得到了反常色散现象。  相似文献
4.
声表面波谐振器的时域响应特性研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
由于电磁波的速度比声表面波的速度快得多。叉指换能器在进行电声转换的同时.也降低了信号能量流的速度。在一定时间内蓄积了电磁能量。所以当电磁激励结束后的一定时间内,声表面波器件仍然有瞬态输出,这是声表器件实现无源无线传感的物理基础。该文通过推导声表面波谐振器各部分的冲激响应函数,得到谐振器的冲激响应。据此分析研究声表面波谐振器在各种激励下的响应波形和特征。分析表明声表面波谐振器的瞬态响应完全反映了器件的性能参数。  相似文献
5.
Y型双声路声表面波质量传感器及其测量系统   总被引:8,自引:1,他引:7  
报道了一种在128°Y切割X传播方向的LiNbO3基片上设计并研制新型的延迟线型声表面波质量传感器及测量系统。由于环境温度对声表面波质量传感器性能影响较大,因此采用新型的Y型双声路结构克服环境温度对传感器性能的影响。阐述了Y型双声路质量传感器器件的结构及设计、测试电路的原理,对实验结果作了分析讨论。测试结果表明:器件相对温度系数仅为11Hz/°C左右,器件的质量沉积效应灵敏度为3.62GHz·cm2/g,并且具有良好的线性度。  相似文献
6.
声表面波式小波变换及重构器件的实现研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
利用声表面波器件构造了小波变换及重构器件 ,为小波变换及重构器件开辟了一种新的制造途径 .本文主要论述声表面波式小波变换及重构器件的工作原理 ,并对信号源内阻对声表面波器件的影响和声电再生问题提出了解决方法 .  相似文献
7.
垂直电偶极子在有介质导电平面上激起的场   总被引:8,自引:8,他引:0  
分析研究了垂直电偶极子在介质涂敷的理想导电平面上激起的电磁场 ,获得了场分量的解析表达式。分析表明 ,垂直电偶极子在介质涂敷的导电平面上激起的电磁场可分解为直达波、反射波、侧面波和吸附表面波。其中吸附表面波在沿介质表面传播的波数介于在空气层和介质层中传播波数 k0 与 k1之间 ,其幅度按ρ-1/ 2 规律衰减 ,在垂直于介质层方向则以指数规律衰减。文中导出的直达波、反射波、侧面波项则与文献 [1 ]中的结果完全一致。当介质层较厚时 ,由于表面波与侧面波相加的结果 ,总场将发生明显的干涉现象。  相似文献
8.
高频地波雷达探测距离的预估及分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
利用地波传播的基本原理,考虑到地球曲率、大气折射、海水介电特性和海情等因素的影响,论述了高频地波雷达探测距离预估的分析和计算方法以及提高探测距离的方法和途径  相似文献
9.
新型压电材料——La3Ga5SiO14单晶   总被引:7,自引:3,他引:4  
胡少勤 《压电与声光》1999,21(4):299-305,313
介绍了一种性能优异的新型压电材料-La3Ga5SiO14单晶的结构及其性能,叙述了La3Ga5SiO14单晶的生长条件及其原料制备方法,同时对这种晶体在声体波及声表面波领域的良好的应用前景进行了讨论。  相似文献
10.
适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析   总被引:6,自引:5,他引:1  
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。  相似文献
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