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1.
红外焦平面CMOS单元读出电路   总被引:18,自引:1,他引:17  
研制出一种 C M O S 差分放大器组成的电容反馈互导放大器( C T I A) 型红外焦平面读出电路,其输出端带有相关双取样( C D S) 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表明,在77 K 下,读出电路的动态范围为66 d B,功耗典型值为0 .53 毫瓦/ 位  相似文献
2.
红外焦平面阵列读出电路技术分析   总被引:14,自引:7,他引:7  
方丹 《红外技术》2004,26(2):23-28
从红外焦平面技术的发展背景出发,论述了读出电路在红外焦平面信号传输中的作用;讨论了用于实现红外焦平面阵列读出电路的一些实施技术;并对各种实现技术进行了分析比较;最后提出了红外焦平面阵列读出电路今后的研究方向。  相似文献
3.
混合式IRFPA读出电路参数测试系统   总被引:8,自引:0,他引:8  
读出电路是红外焦平面阵列(IRFPA)的关键组成部分之一。它的质量直接影响到IRFPA的质量,因此读出电路参数的测试非常重要。本系统采用信号模仿的方法,对IRFPA读出电路注入电信号,调节电信号即可模拟不同的测试条件,利用读出电路的输出就可测试其主要参数的技术指标。系统采用虚拟仪器系统的精密数据采集卡(DAQ)和用于数据处理的软件(LabVIEW)来构建出混合式IRPFA读出电路参数测试系统。采集卡对读出电路输出信号进行采集,并利用软件的运算功能模块对采集的数据进行统计运算,就可定量得到各项参数指标,从而判断读出电路性能的好坏。采用本系统对128×128元读出电路进行测试,实验结果表明了系统的可行性,测试结果可以反映读出电路的质量。  相似文献
4.
致冷型红外CMOS读出集成电路的发展现状   总被引:6,自引:1,他引:5  
刘成康  李兵  汪涛  袁祥辉 《红外技术》2000,22(4):39-41,46
致冷型红外读出集成电路经历了20多年的发展,其技术已日臻完善,CMOS读出电路是当今读出电路的主流,其发展趋势是减小像元间距,增加焦平面阵列像元数而又不降低其光电性能.将滤波电路、A/D转换等功能器件集成在同一芯片上也是读出电路的发展方向.  相似文献
5.
消除CMOS读出电路噪声方法研究   总被引:6,自引:3,他引:3  
对红外焦平面阵列CMOS读出电路中几种常见的噪声及其抑制技术进行了分析和讨论,重点研究了消除读出电路噪声的新方法——双复位法。该方法克服了以往相关双取样的缺点,没有增加电路功耗和硅集成电路的复杂程度,只要电容参数选择合理,理论上能完全消除KTC噪声,而且对1/f噪声也起到抑制作用。  相似文献
6.
一种差分式电容传感器读出电路及其前置放大器的设计   总被引:4,自引:2,他引:2  
采用基于开关电容技术的CMOS电路,实现差分式电容微传感器的信号读出;阐述了这种电路结构的工作原理;分析了噪声特性,并提出了减小噪声的措施。分析了各晶体管尺寸对热噪声和1/f噪声的影响;并在设计时进行了折衷。采用3μm阱CMOS工艺参数对前置放大器进行了HSPICE仿真:放大器具有68nV/√H^2的输入噪声、84dB的开环增益、130dB的共模增益等优良的交、直流特性;电路还可以达到1fF的输入分辨率。  相似文献
7.
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展   总被引:4,自引:2,他引:2  
研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.  相似文献
8.
一个128×128CMOS快照模式焦平面读出电路设计   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
 本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构——DCA(Direct-injection Charge Amplifier)结构.该结构像素电路仅用4个MOS管,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管,既可保证像素内存储电容足够大,又可避免复位电压的阈值损失,从而提高了读出电路的电荷处理能力.由于像素电路非常简单,且该结构能有效消除列线寄生电容Cbus的影响,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路.采用DCA结构和1.2μm双硅双铝(DPDM-Double-Poly Double-Metal)标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片,其像素尺寸为50×50μm2,电荷处理能力达11.2pC.本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果.  相似文献
9.
1×128热释电IRFPA CMOS读出电路的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
热释电红外焦平面阵列是非致冷红外焦平面阵列的主要发展方向之一 ,其读出电路是关键部件 ,属数模混合集成电路。分析了热释电读出电路的特点 ,设计原则 ,并给出了一种读出电路设计方案以及仿真和实验结果  相似文献
10.
GaN 紫外焦平面注入效率研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对CTIA和DI注入结构的GaN pin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究.测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系.  相似文献
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