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1.
高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9~4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.  相似文献
2.
GaAs基单片集成InGaP/AIGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMTs   总被引:2,自引:2,他引:0  
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.  相似文献
3.
Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过分析微波单片集成电路(MMIC)与常用的微波立体电路的不同点,讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径,着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件(有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件)电路模型的方法,借助这一分析,使用通用的微波电路软件,完成了Ku波段两级AlGaAs/InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制,取得了与CAD设计值十分相近的实验结  相似文献
4.
2~ 8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2~ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。  相似文献
5.
Ka波段PHEMT功率放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了 Ka波段的 PHEMT功率放大器的设计和研制。 PHEMT器件采用 0 .2 μm栅长的 Φ 76 mm Ga As工艺制作 ,并利用 CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的 MIC放大器采用0 .3mm栅宽的 PHEMT,在 34GHz处 ,输出功率 10 0 m W,功率增益 4 d B。  相似文献
6.
Ka波段功率PHEMT的设计与研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。  相似文献
7.
内置驱动器的六位GaAs PHEMT宽带单片数控衰减器   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难度。产品由GaAsPHEMT标准工艺线加工。测试结果表明,在0.05~3.0GHz带内,插入损耗≤2.3dB@3GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,衰减精度在±(0.3dB+3%)以内,1dB压缩功率点达到了27dBm,IP3超过了+45dBm。  相似文献
8.
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配.在50Ω端口测试条件下,该低噪声放大器在3.5~4.3GHz频率范围内,噪声系数小于0.9dB,增益大于26dB,回波损耗小于-10dB.这是至今为止报道的增益高于20dB的低噪声放大器中具有最小噪声系数的微波单片低噪声放大器,它主要归因于采用具有优异噪声性能的增强型赝配高电子迁移率晶体管以及本文提出的源极串联电感结合漏极应用一个小的稳定电阻来减小输入匹配网络寄生电阻的电路结构.  相似文献
9.
设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.  相似文献
10.
针对PHEMT器件的特点,在Angelov模型和Triquint-Materka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现.文章以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、1.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果.  相似文献
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