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1.
高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9~4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.  相似文献
2.
GaAs基单片集成InGaP/AIGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMTs   总被引:2,自引:2,他引:0  
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.  相似文献
3.
Ka波段PHEMT功率放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制。PHEMT器件采用0.2μm栅长的Φ76mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的MIC放大器采用0.3mm栅宽的PHEMT,在34GHz处,输出功率100mW,功率增益4dB。  相似文献
4.
Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过分析微波单片集成电路(MMIC)与常用的微波立体电路的不同点,讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径,着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件(有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件)电路模型的方法,借助这一分析,使用通用的微波电路软件,完成了Ku波段两级AlGaAs/InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制,取得了与CAD设计值十分相近的实验结  相似文献
5.
内置驱动器的六位GaAs PHEMT宽带单片数控衰减器   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难度。产品由GaAsPHEMT标准工艺线加工。测试结果表明,在0.05~3.0GHz带内,插入损耗≤2.3dB@3GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,衰减精度在±(0.3dB+3%)以内,1dB压缩功率点达到了27dBm,IP3超过了+45dBm。  相似文献
6.
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配.在50Ω端口测试条件下,该低噪声放大器在3.5~4.3GHz频率范围内,噪声系数小于0.9dB,增益大于26dB,回波损耗小于-10dB.这是至今为止报道的增益高于20dB的低噪声放大器中具有最小噪声系数的微波单片低噪声放大器,它主要归因于采用具有优异噪声性能的增强型赝配高电子迁移率晶体管以及本文提出的源极串联电感结合漏极应用一个小的稳定电阻来减小输入匹配网络寄生电阻的电路结构.  相似文献
7.
设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.  相似文献
8.
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃~ 85℃时和-55℃~ 125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.  相似文献
9.
针对PHEMT器件的特点,在Angelov模型和Triquint-Materka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现.文章以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、1.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果.  相似文献
10.
利用0.2 μm GaAs PHEMT工艺研制了40 Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器.该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40 GHz,输入输出反射损耗约- 10 dB,功率增益14 dB,功耗700 mW,最大电压输出幅度达到7 V.两级芯片级连后,功率增益约27 dB,在40 Gbit/s速率下得到清晰的眼图.  相似文献
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