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1.
氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率   总被引:10,自引:5,他引:5  
从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态.研究了电子气二维特性与迁移率间的关联.用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为.以电子迁移率与异质结构间的关联为依据,提出了优化设计异质结构来增大电子迁移率和降低迁移率随电子浓度变化的新思路.  相似文献
2.
非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT   总被引:9,自引:4,他引:5       下载免费PDF全文
报道了研制的Al Ga N / Ga N微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂Al Ga N/ Ga N异质结构,器件工艺采用了Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和Ni/ Au肖特基势垒接触以及Si N介质进行器件的钝化.研制的2 0 0μm栅宽T型布局Al Ga N / Ga N HEMT在1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为2 8.93d Bm,输出功率密度达到3.9W/mm ,功率增益为15 .5 9d B,功率附加效率(PAE)为4 8.3% .在6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为2 .5 W/ mm ,功率增益为10 .2 4 d B,PAE为35 .2 % .  相似文献
3.
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜   总被引:7,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400~450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.  相似文献
4.
SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型   总被引:6,自引:0,他引:6  
在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与Si BJT相比,SiGe HBT基区渡越时间显著减小,同时表明,载流子浓度分布对基区渡越时间有较大影响。  相似文献
5.
面向45纳米制造工艺的技术研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
6.
提出了一种基于器件物理的4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素.其中,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率.该模型能较好地应用于器件模拟.  相似文献
7.
载流子迁移率测量方法总结   总被引:5,自引:0,他引:5  
给出了载流子迁移率的各种测量方法,渡越时间(TOP)法、霍尔效应法、电压衰减法、辐射诱发导电率(SIC)法、表面波传输法、外加电场极性反转法和电流—电压特性法,并给出了这些测量方法的使用范围。  相似文献
8.
输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件   总被引:4,自引:2,他引:2  
MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96%.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.  相似文献
9.
Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n—MOSFET迁移率和跨导的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
李观启  曾旭 《半导体学报》1996,17(10):775-779
用低能量氩离子束轰击芯片背面,能改善以热氮化和快速热氮化SiOxNy为栅介质的n沟的MOSFET的特性,结果表明,在能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm^2时,随着轰击时间的增加,跨导、沟道和有效迁移率增大,然后这些变化趋于减缓,甚至开始呈恶化趋势。快速热氮化SiOxNy 介质的MOSFET的改善效果要比常规热氮化的好、实验证明,上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果,文中  相似文献
10.
电流叠加型CMOS基准电压源   总被引:4,自引:0,他引:4  
夏晓娟  易扬波 《微电子学》2006,36(2):245-248
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。  相似文献
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