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1.
红外焦平面成像器件发展现状   总被引:30,自引:14,他引:16  
红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、InSb和QWIP的最新进展作一评述,简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术:光学读出微光机红外接收器。  相似文献
2.
980 nm高功率垂直腔面发射激光器   总被引:14,自引:6,他引:8  
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。  相似文献
3.
降低VCSELs激射阈值途径的理论研究   总被引:10,自引:2,他引:8  
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子陆垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值电流密度的解析表达式,运用MATLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真,研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径;有源层选用量子阱实现微腔结构,腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R:改进外延生长技术在降低各种损耗。  相似文献
4.
垂直腔面发射激光器制作新工艺   总被引:10,自引:7,他引:3  
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃~80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6 mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06 nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mW。  相似文献
5.
64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制   总被引:9,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% ,并应用研制成的器件获得了室温物体的热像图  相似文献
6.
实时全息干涉计量术的发展近况和趋势   总被引:8,自引:2,他引:6  
本文综述了实时全息干涉计量术的发展近况。介绍了实时全息干涉计量术的某些新方法,新装置及其所依据的原理并论述其发展趋势。  相似文献
7.
柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质   总被引:8,自引:1,他引:7       下载免费PDF全文
赵翠兰  丁朝华  肖景林 《半导体学报》2005,26(10):1925-1928
应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质. 对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小而增加,且柱高愈小,增加速度愈快;激发态能量随温度的升高而增加. 这些结论说明,由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.  相似文献
8.
128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列. 77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81e7V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28e10cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率为1.22%.  相似文献
9.
MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器   总被引:6,自引:4,他引:2       下载免费PDF全文
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA  相似文献
10.
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器   总被引:6,自引:2,他引:4       下载免费PDF全文
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30 μm,像元光敏面28 μm×28 μm,两像元间距2 μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm·Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。  相似文献
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