光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究

报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点.  

碲镉汞p—on—n光伏器件优化掺杂的理论计算

从理论上考虑了碲镉汞长波光电二极管的主要电流机制，并采用合适的参数对R0A进行了计算。结果表明，由于隧道电流的限制，对于一定的衬底浓度，选择p区掺杂的浓度不宜过大，反之亦然。计算得到了优化择杂浓度与衬底浓度的关系和相应的R0A值。  

P^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型

本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射长波红外探测器量子效率的解析模型。与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响。理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合。  

256×1甚长波量子阱红外焦平面研究

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器由于其所依据的GaAs基材料较为成熟的材料生长和器件制备工艺，使其特别适合于高均匀性、大面积红外焦平面的应用。报道了甚长波256×1元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件的研制成果, 探测器的峰值波长为15 μm,响应带宽大于1.5 μm。在40 K工作温度下，器件的平均黑体响应率Rp=3.96×106 V/W, 平均黑体探测率为D*=1.37×109 cm·Hz1/2/W, 不均匀性为11.3%, 并应用研制的器件获得了物体的热像图。  

8～12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展

超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径，作者曾分绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga1-xInxSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料，本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器；以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET)；Ga1-xAlxSbAlGb超晶格材料和GexSi1-x-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。  

探测器及相关的信号处理（SPIE Vol．5251）

一、光探测器。1．红外光学探测器的回顾（Daniel Esteve等）。2．碲镉汞线列阵及其相关的硅读出（Fiodor F．Sizov等）。3．致冷型大规格红外凝视列阵：走向第三代（Elisabeth Brochier等）。4．高性能红外探测器模块（Joachim Wendler等）。5．SOFRADIR公司的长波红外探测器（Alain Manissadjian等）。6、负发光红外器件与工作温度较高的探测器（Geoff R．Nash等）  

P~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型

本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）长波红外探测器量子效率的解析模型．与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响．理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合．利用该模型可对ＧｅｘＳｉ１－ｘ层的最佳厚度进行估计，其结果与实验结果也是一致的．  

128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器

报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40 μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100％截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109 cmHz1/2 W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.  

传感器无限公司推出一种适合军用的新型非致冷InGaAs短波红外摄像机

据http：／／www．optoiq．com网站报道，在SPIE于2010年4月5日至9日在美国奥兰多召开的“防御、安全与传感”专题讨论会上，法国Sofradir公司演示了一款间距为15um、具有视频（VGA）成像特点的640×512长波红外探测器。预计到2010年6月人们便可以买到此款产品。