应用于扩散工艺中的闭管扩散技术

介绍了一种用于晶体硅太阳能电池p-n结制造的闭管扩散技术,它主要是针对目前使用的开管扩散技术的不足而提出的,实践证明,该技术不仅扩散均匀性优,而且节源、节能、环保,同时它还可以运用于其它半导体材料的扩散掺杂工艺。  

软着陆洁净闭管扩散炉研制

介绍了一种用于晶体硅光伏电池片工艺的软着陆洁净闭管扩散炉,着重介绍了设备结构组成及性能,并给出了工艺结果说明设备性能达到国内领先水平。  

闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.  

闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.  

闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源，在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP (100）晶片进行扩散. 用电化学C-V法（ECV）和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线. 结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降，InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度，扩散深度随着扩散时间的增长而变大，InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级. 另外对扩散后的样品进行光致发光（PL) 测试，表明在保证表面载流子浓度的同时，适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.  

第三代闭管软着陆扩散系统

闭管软着陆扩散系统采用闭管扩散的方式。碳化硅浆把石英舟放入石英管后再退出石英管，保证整个工艺过程完全不受外界环境干扰。系统整机清洁降低了石英制品清洗的频次。控制终端采用专业工控机配备进口温控仪表、质量流量计及完善的报警功能。  

适用于200mm太阳能电池片的闭管扩散/氧化系统设计

介绍了适用于太阳能电池生产线闭管磷扩散设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。