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目的 菱形纹样是我国古老的几何纹样之一,其历史悠久、应用广泛,在不同地域和文化背景下被赋予了不同的文化内涵,厘清纹样的在地性符号所指,是提升传统工艺传承与设计创新的方法路径。方法 以贵州花戛乡布依族扎染技艺中的菱形纹样为研究个案,结合人类学的田野调查法和艺术设计学的比较研究法,对花戛布依族服装配饰中的扎染菱形纹样进行综合考证和分析。结论 认为花戛扎染菱形纹样是布依族日用器物“升”的形态转译,是农耕背景下布依人祈求丰收的文化符号载体。有着文化符号功能的菱形“Ndaeh Sengh”纹样,与布依人生活、习俗、地域环境等方面存在多维的联结,“Ndaeh Sengh”越多代表农作物收成越好,寓意丰收和富足。“Ndaeh Sengh”作为农耕记忆背景下布依族集体无意识原型形式的外化,其制作工艺和纹样所承载的文化记忆对于非遗保护、工艺传承、非遗设计等方面都有一定的理论指导意义。 相似文献
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为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。 相似文献
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报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。 相似文献
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