不同参数选择对场发射扫描电镜图像的影响

场发射扫描电子显微镜(FESEM)是扫描电镜的一种,主要用于对样品显微结构的表征,同时还能定性、定量地获得样品微观区域内的化学成分和结构信息。目前作为一种先进的测试技术手段,FESEM在科学研究、工业生产和刑侦物证等众多领域中得到广泛的应用。本文研究了加速电压、工作距离、探头选择、信号选择等不同参数对FESEM图像的影响,并针对一些材料的形貌表征提出了较佳的参数选择。     

测量二次电子空间分布特征矩阵法的有效性分析

为了准确测量不同材料在实际环境中的二次电子空间分布，设计了一种新型的二次电子发射空间分布测量结构，给出了实验测量原理，用求解特征矩阵的方法对实验结果进行处理，得到了所需的二次电子空间分布。通过模拟计算对该测量方法进行了校验，模拟结果与假设二次电子空间分布函数相吻合，表明该测量方法可靠、测量精度高，为后续样机研制奠定了理论基础。     

电子阱在多级降压收集极中的应用

本文主要介绍在多级降压收集极中应用处于第一收集极之后相对于第一收集极为高电位的附加电极,使得该电极与第一收集极之间的区域形成了一个捕获二次电子的电子阱,从而使该收集极在获得高效率的同时,具有较小的返流。此外,这个高电位电极的相邻两电极可以等电位工作,这将有利于行波管供电电源模块的简化。     

MAT261质谱计二次电子倍增器歧视效应研究和计数法建立

热表面电离质谱计(TIMS)MAT261在采用二次电子倍增器(SEM)接收时,SEM积分模拟模式的测量存在质量歧视效应和强度歧视效应.本研究测量了其质量歧视校正因子,建立了强度歧视效应基本可以忽略的测量方法.为实现弱信号的准确测量,建立SEM离子计数测量模式.基于SEM离子计数测量技术,应用钚标样比较SEM积分模拟模式...     

折叠波导行波管铪栅极退火温度及其性能

在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射.     

基于PS球的银微米结构制备及二次电子发射性能

金属材料的二次电子发射是空间微波部件发生微放电效应的重要机制,微放电效应是航天器有效载荷射频功率增大的限制因素。本实验通过在金属银表面构造大尺度聚苯乙烯(PS)微球阵列制备微米尺度的银膜陷阱结构,实现对二次电子发射的抑制。重点研究了PS微球自组装方法对自组装效果的影响及镀银方式对银膜陷阱结构形貌的影响,并对利用PS微球构造的银膜陷阱结构的二次电子发射性能进行研究。结果表明:蒸发沉积法中的单基片法可有效实现PS微球的自组装,电化学沉积法镀银可获得银膜陷阱结构,且该银膜陷阱结构的二次电子发射系数最大值从2.2降低至1.6。     

耦合腔行波管多级降压收集极的模拟设计

本文中较全面地讨论了多级降压收集极的物理模型.通过分析3个工作频率点高频输出端的电子注特性来设计多级降压收集极:借助电子注层流性参量,对带有再聚焦磁场的散群聚区进行优化,得到磁场参量的初始值;运用电子轨迹等效电位图,确定各电极的初步电位,通过收集极区结构和电极电位的优化得到较高的收集极效率;通过收集极的全面优化使收集极效率得到了进一步的提高;在考虑二次电子发射情况下,对收集极结构和电极电位进行优化,在保证收集极效率的情况下使二次电子回流率为零.模拟结果表明:借助电子注层流参量设计出带有再聚焦磁场的散群聚区使电子轨迹层流性得到较大改善;合理的结构和电极电位能得到较高的收集极效率;二次电子发射对收集极效率影响较大,合理的调节外凸锥形电极的倾角能避免二次电子回流.此设计运用于一耦合腔行波管收集极的模拟计算,达到了良好的效果.     

正极性电晕在空气中的起始判据

将电晕损耗和电晕效应控制在合理的水平是高压输电线路设计的一项关键内容,而电晕放电的起始条件对于电晕控制来说至关重要.为此,针对同轴电极结构,介绍了一种考虑光电离的常用正电晕起始判据的推导和简化过程,阐明了判据中各个参数的物理含义,并且给出了表征光子在圆柱导体电离层内吸收过程的面积因子及其展开式.比较了由正电晕起始判据及...     

不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响

固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程.本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物...