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1.
通过先电沉积后热氧化的方法在氟掺杂Sn O2(FTO)基底上制备了多孔ZnO薄膜。研究了聚乙二醇(PEG-6000)质量浓度对ZnO薄膜的形貌、结构及可见光光电流的影响。结果表明,在恒定电流密度7.0 mA/cm~2沉积300 s的条件下,于含有0.4 mol/L Zn Cl2、5.0 mol/L NH_4Cl和0.4 mol/L H3BO3的镀液中添加10~200 mg/L的PEG-6000,有利于在FTO基底上得到结合良好的金属Zn沉积层,热氧化后转变为有基底Sn自发掺杂的多孔ZnO薄膜。其中PEG质量浓度为50 mg/L时制得的ZnO薄膜厚度最大、孔隙最多,表现出良好的光电化学性能。  相似文献   
2.
通过逆温结晶的方法制备了CH_3NH_3PbI_3单晶,用扫描电子显微镜观察晶体形貌、X射线粉末衍射仪测量晶体结构、拉曼光谱仪测量晶体光谱。此外,通过X射线单晶衍射仪确定了晶面方向,分别沿平行和垂直于晶体c轴方向对晶体进行切割,经打磨、抛光后在其对应的晶面上蒸镀电极进而制备出基于CH_3NH_3PbI_3单晶的光探测器。采用不同波长和偏振方向的激光照射光探测器的受光面后,测试了器件的光电特性。实验结果表明,当激光的电场分量E平行于晶体的晶轴时光探测器的光电流密度比电场分量E垂直于晶轴时(垂直样品)的光电流密度大两个数量级。通过计算得到,激光的电场分量E平行于晶体晶轴时,光探测器的光响应度(R)是垂直样品的58倍、光暗电流比(P)的10倍和外量子效率(EQE)的66倍。发现CH_3NH_3PbI_3单晶的晶轴对晶体的光电性能影响很大。  相似文献   
3.
正据国外媒体近日报道,德国慕尼黑工业大学的科学家已经开发出一种方法,能以时间分辨石墨烯中超高速光电流的形成,测量其时间动态。此外,他们还发现石墨烯可以放射太赫兹辐射。石墨烯制成的光电探测器能非常快速地处  相似文献   
4.
We report on electrical and optical properties of p+-i-n+ photodetectors/solar cells based on square millimeter arrays of InP nanowires (NWs) grown on InP substrates. The study includes a sample series where the p+-segment length was varied between 0 and 250 nm, as well as solar cells with 9.3% efficiency with similar design. The electrical data for all devices display clear rectifying behavior with an ideality factor between 1.8 and 2.5 at 300 K. From spectrally resolved photocurrent measurements, we conclude that the photocurrent generation process depends strongly on the p~-segment length. Without a p+-segment, photogenerated carriers funneled from the substrate into the NWs contribute strongly to the photocurrent. Adding a p+-segment decouples the substrate and shifts the depletion region, and collection of photogenerated carriers, to the NWs, in agreement with theoretical modeling. In optimized solar cells, clear spectral signatures of interband transitions in the zinc blende and wurtzite InP layers of the mixed-phase i-segments are observed. Complementary electroluminescence, transmission electron microscopy (TEM), as well as measurements of the dependence of the photocurrent on angle of incidence and polarization, support our interpretations.  相似文献   
5.
在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n+一Si)结构上沉积约40nm铂(Pt),经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极(Pt/n—n+-Si)。将半导体电极和铁氰化钾、硫酸镍以及硝酸钠的溶液接触,沉积出稳定的铁氰化镍(NiHCF)薄膜。复合电极与Pt电极组成光电化学电池,在零偏电压条件下,通过测量该电池的光电流可检测过氧化氢。通过循环伏安和X-光电子能谱对NiHCF薄膜进行了分析与表征。  相似文献   
6.
分别在硼酸缓冲溶液(pH=8.4)和0.1mol/L H2SO4溶液中对镍基合金600和800进行电化学表面改性;对镍基合金表面氧化膜(改性前和改性后)进行动电位扫描、Mott-Schottky曲线测定以及利用光电流法绘制光电流谱。结果表明,镍基合金在酸性溶液中平带电位发生明显正移,载流子浓度升高,且在同样的电位范围呈现不同的半导体性质;电化学表面改性后,镍基合金生成的表面钝化膜平带电位没有发生明显变化,载流子浓度明显减小,表面钝化膜溶解的速度降低,耐蚀性能得到改善。  相似文献   
7.
油管钢在土壤环境中受到腐蚀后会在表面形成一层保护基体减缓腐蚀的钝化膜。本文讲述了采用电化学阻抗谱(EIS)和光电流技术研究J55油管钢在模拟土壤环境(高pH值)中,拉伸、压缩及弯曲应力状态下所形成钝化膜的电化学性能,以期为碳钢腐蚀与防护提供一定的理论参考。  相似文献   
8.
伴随着直流输电工程的发展,光电流互感器由于其自身的良好特性,在直流系统中大量使用。作为新型的电流互感器,国内缺乏足够的运行维护经验。本文针对宜都换流站直流光电流互感器运行中出现的故障,深入分析了故障原因,并提出了相应的解决办法,为今后光电流互感器同类问题的处理提供了参考。  相似文献   
9.
为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13 μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比,获得了本文实验条件下的辐射剂量率 激光能量模拟等效关系。结果表明,激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。  相似文献   
10.
变电所110KV出线间隔的无油化改造中,选用了无源型磁光电流互感器,该装置属于电流互感器的最新一代产品。总结运行实践经验,介绍了该装置的优越性。简述了其工作原理,装置结构及技术参数选择。什么了无源型磁光电流互感器适应电力系统自动化的发展,科技含量高,已到达实用化程度。  相似文献   
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