多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准     

Cavin A-70T电子管放大器

对笔者这一代人来说，玩胆机（即电子管放大器）就象是在补课。我们开始接触音响时，这个世界早就是晶体管的天下了。如果不是因为1990年代束期音响界复古风潮的兴起，今天大行其道的胶木唱盘和早几年已经风靡的胆机是万万不可能再出现于我们面前的。     

CPU内核数量每两年翻一番

摩尔定律指出,半导体的晶体管数量每18个月至2年翻一番。我们可以把摩尔定律重新阐释为:CPU内核数量每2年翻一番。     

国外异质结双极晶体管的发展

随着微波半导体技术的发展，近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展，包括ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ，ＧｅＳｉ等开发现状和性能参数达到的水平。     

双极关键工艺的在线统计分析

采用了双极晶体管作为双极工艺的测试结构,将在线工艺的统计分析理论应用于双极工艺,研制了双极工艺的统计分析软件。最后给出了双极工艺的某些分析结果。     

IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．     

8097十六位单片机控制的全数字化伺服系统

本文介绍了MCS—96系列十六位单片机8097控制的GTR—直流电动机全数字化伺服系统。     

Unision SR1合并式扩大机

俗话说得好,世上唯一不变的事情就是变。这句话当真有理,看看连Unison这样“顽顾”的真空管大厂商也变了,新推出了真空管和晶体管的混血扩大机,此外还有一系列晶体前级后端要推出呢！这使得Unison成为产品线上从单端真空管机一直到纯晶体扩大机通通俱全的厂