InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。     

核电磁脉冲双层开孔矩形腔体屏蔽效能研究

针对开孔的双层屏蔽腔体特点,采用传输线理论,建立了核电磁脉冲平面波照射下计算双层腔体屏蔽效能的等效电路模型,推导了近似计算的解析解,与仿真计算结果进行了对比,并计算分析了双层腔体两孔的相对位置、孔间距对屏蔽效能的影响。结果表明:两孔在偏离状态下泄漏进腔体内的电磁能量最少,屏蔽效能最高;两孔之间的距离增大,腔体的屏蔽效能和谐振频率随之变大。解析解与仿真计算的结果较为一致,验证了解析方法的有效性,为工程中快速计算双层腔体屏蔽效能提供了有效的参考。     

渐变纬向管状小提花织物的设计与开发

为了在SGA598型小样织布机上织造渐变纬向管状小提花织物,在渐变纬向管状形成方法、组织及配色设计、织造工艺等方面进行了创新设计。通过采用局部管状组织,使纬向管状先由宽到窄、再由窄到宽逐渐过渡;在2组渐变的纬向管状之间设计了具有青花瓷风格的纬起花菱形纹样。织造时经纱单独固定,通过悬挂不同质量的重物和旋转送经手轮调整经纱上机张力,达到双轴织造、地经纱停送、起管经纱急送经的要求;起管和起花区域部分纬纱参与布边织造,织得布边较平整。经过设计与实践,开发出了渐变纬向管状小提花织物,渐变纬向管状成形良好、纬起花花型饱满,布边整齐,拓宽了纬向管状织物的设计思路。