基于内置光栅的大功率激光二极管

研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976 nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心波长为976±1 nm;光谱半宽小于等于1 nm;中心波长温度漂移系数小于等于0.1nm/℃;输出功率大于等于10W;发光条宽度小于等于100 μm.     

基于TDLAS技术的空气气压精确测量

基于可调谐激光二极管吸收光谱(TDLAS)技术,通 过测量水汽吸收线的展宽,实现了气体压力的精确测量。实验中光源被 分为两束,一束通过压力可调的样品池获得吸收光谱数据,另一束通过FP标准具用以波 长定标。选取 水汽在7243cm－1附近的两条吸收线, 利用测得的10～20kPa之间的水汽吸收线压力展宽值对 HITRAN数据库中的空气展宽系数进行校正。实时测量了参考气压值从30～100kPa时的 水汽吸收线压力展宽,计算得到气压值并与参考气压进行比较,不同参考压力下利用水汽7243.075cm－1 和7242.370cm－1处吸收峰计算结果与参考气压值的偏差分别分布于0.9%附近和2.0%附近,两条吸收谱线 测量结果波动均小于0.2%。实验测量结果与参考值几乎一致,且同一条件不同次测量结果波 动较小,证明了TDLAS技术应用于实时环境气压精确快速测量的可行性。     

基于光纤光栅调谐的掺铒光纤激光器研究

介绍了掺铒光纤激光器的原理与结构。设计了基于光纤光栅调谐的环形掺铒光纤激光器,试验中用带尾纤的1480nm半导体激光器作为泵浦源,设计的光纤激光器采用光纤光栅作为光纤激光器的调谐装置。根据光纤光栅的温度改变对光纤激光器的波长来进行调谐。1480nm半导体激光器实验工作电流为320 m A,输出的激光波长范围为1538nm到1540nm,输出功率为4.2m W。     

半导体激光二极管的光纤耦合技术

将半导体激光二级管（LD）发出的光更高效地注入到光纤中是光纤激光器与光纤放大器研究的先决条件.半导体激光二级管包括二极管单管、条形巴、二维堆栈和二极管阵列等,其各自的耦合技术之间有联系也有区别.分析介绍了有代表性的柱状楔形法、V型槽法、微透镜法等二极管单管与光纤的耦合技术;光纤束耦合法、光束整形法等二极管条形巴与光纤的耦合技术;以及二极管二维堆栈和二极管阵列与光纤的耦合技术等各种光纤耦合技术,比较了这些方法之间的共通点,供今后的研究人员选择和参考.     

激光二极管抽运低温Yb∶YAG再生放大器

通过对Yb∶YAG晶体荧光谱线的分析,讨论了其低温条件下的增益特性。利用激光二极管作为抽运源,采用背向端面抽运方式,使用掺杂原子数分数为8%的片状Yb∶YAG晶体,搭建了一台低温条件下工作的再生放大器。通过小能量信号光注入,在-90℃的低温下,可以得到重复频率10Hz,脉宽10ns,能量10.3mJ的激光脉冲输出,放大倍数达107倍。     

808nm高效率激光二极管

目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。     

用于超快诊断的3GHz模拟光纤传输系统

为了在复杂电磁环境下远距离传输超快脉冲电信号,采用电光转换法将超快脉冲电信号转化为光信号,光信号经数公里光纤传输,在光纤末端采用光电转换法恢复超快脉冲电信号,成功研制了宽频带模拟光纤传输系统.系统的性能指标频带宽度为(0.0003～3)GHz,带内平坦度为±1dB,线性动态范围为40dB(100倍),输出噪声峰峰值小于...     

高能量激光二极管侧面抽运风冷Nd∶YAG脉冲激光器

介绍了一种激光二极管侧面抽运的风冷高能量Nd∶YAG激光器,当重复频率为30 Hz时,峰值功率可达到12 MW,脉冲宽度为11 ns。激光器重复频率为1~30 Hz可调,光光转换效率达到13.2%,激光输出波长为1064.2 nm,带宽为1 nm,光束质量因子M2为2.85。针对以往大功率激光器的冷却系统体积大的问题,采用半导体热电制冷(TEC)配合风扇的风冷系统,省去了体积庞大的水冷系统,为整机的小型化提供了可能性。     

物理升华法生长ZnO晶体的研究

Zinc oxide（ZnO） has a wide band gap, high stability and a high thermal operating range that makes it a suitable material as a semiconductor for fabricating light emitting diodes（LEDs） and laser diodes, photodiodes, power diodes and other semiconductor devices. Recently, a new crystal growth for producing ZnO crystal boules was developed, which was physical vapor transport（PVT）, at temperatures exceeding 1500 ？C under a certain system pressure. ZnO crystal wafers in sizes up to 50 mm in diameter were produced. The conditions of ZnO crystal growth, growth rate and the quality of ZnO crystal were analyzed. Results from crystal growth and material characterization are presented and discussed. Our research results suggest that the novel crystal growth technique is a viable production technique for producing ZnO crystals and substrates for semiconductor device applications.