结电容对光伏器件I-V特性测试的影响

I-V特性是表征光伏器件性能的重要指标,在用电压扫描方式对一些器件进行I-V测试时,会出现零偏压电流为正向电流的现象,本文通过分析结电容对光伏器件电流电压测试的影响,对这种现象进行了解释,根据对由IOOMΩ电阻和50pF电容搭建的并联电路进行的测量,得到测试系统电压变化速率为2.14V/s,从而推算出光伏器件结电容的大小近似为0.47pF.用电路仿真软件PSpice对该测试电路进行了仿真,得到的仿真结果与实验结果相符.     

MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器

为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.     

直接测量法测定CZT探测器漏电流与结电容

为弥补CZT探测器漏电流与结电容间接测量法的不足,采用直接测量法重新设计了测试方案。通过对CZT探测器的测试,给出了更精确的漏电流与结电容的数值,并将之与间接测量法的数据作了相应的对比,为CZT探测器的应用提供了更可靠的依据。     

1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％.     

特殊图案透明欧姆接触微结构提高谐振腔增强型光探测器的响应性能

为解决谐振腔增强型(RCE)光探测器的耦合效率和响应速率的矛盾,提出了采用特殊图案透明欧姆接触的微结构及其制备工艺方案,从而使得在器件入光面积不变的情况下,欧姆接触部分的总面积显著减小,在不影响器件量子效率的前提下达到减小电容、提高响应速率的目的。在台面面积为50μm×50μm的情况下,获得了18 GHz的响应带宽。研制的谐振腔增强型光探测器的响应速率得到了显著的提高。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.     

发光二极管负电容与角频率的关系

利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.     

利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。     

结电容对光伏器件Ⅰ-Ⅴ特性测试的影响

Ⅰ-Ⅴ特性是表征光伏器件性能的重要指标。在用电压扫描方式对一些器件进行(?)测试时,会出现零偏压电流为正向电流的现象。本文通过分析结电容对光伏器件电流电压测试的影响,对这种现象进行了解释。根据对由100MΩ电阻和50pF电容搭建的并联电路进行的测量,得到测试系统电压变化速率为2.14V/s,从而推算出光伏器件结电容的大小近似为0.47pF。用电路仿真软件PSpice对该测试电路进行了仿真,得到的仿真结果与实验结果相符。