掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

不同层面缺陷地对功率放大器的影响

论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。     

基于GD32单片机的电能质量分析系统设计

基于32位ARM coretex-M4单片机作为主处理器,利用准同步采样技术实现三相电力系统的电压和电流参数采集,采用傅立叶变换技术对谐波频率及含量进行计算。针对每个工频周期的采样点数和响应速度的矛盾,提出了一种基于采样点数和响应速度的平衡控制策略,既兼顾了采样点数,保留原数据的真实变化,同时满足一定要求的响应速度。     

基于差流基波分量相位的励磁涌流识别新方法

基于二次谐波闭锁判据的差动保护算法，在面对励磁涌流二次谐波含量低于门槛值以及空合故障变压器这两类情况时，很难在动作可靠性上做到平衡。根据单相涌流二次谐波含量求取方法，文章分析了励磁涌流二次谐波含量低于门槛值时单相涌流的性质:当三相励磁涌流二次谐波含量低于门槛值时，两相涌流饱和程度较大，另一相饱和程度较轻或不饱和；当两相励磁涌流二次谐波含量低于门槛值时，一相涌流饱和程度较大。利用上述性质，根据三相差流二次谐波含量的不同情况，结合二次谐波闭锁判据，文章提出了励磁涌流基波分量相位辅助判据。MATLAB/Simulink仿真实验验证了算法的可行性，当三相励磁涌流二次谐波含量均低于门槛值时，算法能够正确闭锁差动保护。     

短杯谐波减速器性能测控试验设计与研究

为测试一种理论上满足高承载、高效率、高精度、小尺寸性能要求的短杯谐波减速器的实际性能,设计了精密短杯谐波减速器性能测试控制系统,试验系统主要包括:机械结构部分、硬件架构、软件模块。经调试运行,该试验系统可以成功测试短杯谐波减速器的传动效率、极限承载性能、温升等性能参数。通过将理论计算结果与实际试验结果对比,该测试系统的测试结果具有较大参考价值。