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1.
针对薄膜型锑化铟霍尔元件芯片性能测试,设计了一套霍尔元件芯片测试系统。系统主要由手动探针台、显微镜、探针卡、外加磁场、PLC以及测试软件组成,可以进行霍尔元件芯片的输入和输出电阻、不平衡电压以及霍尔电压的测试。测试系统稳定性好,重复度高,测试误差较小。手动探针台操作简单,测试方便,灵活性强,可分别测试4英寸硅片和3英寸铁氧体衬底制备的薄膜型锑化铟霍尔元件芯片,以较低成本满足了霍尔元件芯片研发过程中芯片测试的需求。  相似文献   
2.
通过比较不同的浸出剂浸出锑化铟时铟的浸出率,找出合适的浸出剂,并对锑化铟的浸渍工艺进行优化。考察了HNO3浓度、液固比、浸渍时间及浸渍温度4个因素对铟的浸出率的影响。结果表明:锑化铟酸浸提取铟的最佳工艺条件为:HNO3浓度8mol/L,液固比3.5∶1,浸渍时间20min,浸渍温度25℃。在此工艺条件下,铟的浸出率能达到99.5%以上。  相似文献   
3.
李海燕  杜红艳  赵建忠 《激光与红外》2013,43(12):1372-1375
锑化铟(InSb)铍离子(Be+)注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。  相似文献   
4.
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用机械抛光技术对InSb进行表面加工,分析了研磨液磨料浓度对InSb表面状况及去除率的影响,实验得到了优化研磨液配比参数,在此参数下,获得了良好的研磨表面.  相似文献   
5.
室温锑化铟在探测器阵列靶中应用问题研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
锑化铟探测器阵列靶是红外激光光斑测量的重要仪器。仪器中的光导型锑化铟探测器对温度比较敏感,这容易使后级信号处理电路的静态工作点出现温度漂移现象,影响阵列靶探测精度。针对这一情况,设计了一个可以根据环境温度实时调整静态工作点的系统,有效地解决由于探测器静态阻值随温度变化而引起的静态工作点的漂移问题,为室温锑化铟红外探测器在各种环境下的应用提供了一套有效的解决方案。  相似文献   
6.
本文报导了从300~525℃InSb的熔点范围内,富In的In-Sb溶液的液相成分随温度变化的测定报告。利用温度相互作用参数的线性关系,这些数据可以近似地描述为一个简单的溶液模型。  相似文献   
7.
本文简单叙述了锑化铟(InSb)电荷注入(CID)探测列阵的基本原理和工艺条件,并给出了实验结果。介绍了一种新颖的、与常规不同的铬膜淀积工艺,使用了控制厚度的监控探针和改善薄膜厚度均匀性的双源。厚度可控制在60~100,这个技术可提供满足器件制作要求的金属膜,达到了预期的目的。  相似文献   
8.
用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过结深,对控制扩散条件和其它工艺条件用于半开管扩散法制作16元、42元InSb探测器提供了一个依据.  相似文献   
9.
InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
於伟峰  李孔宁 《红外研究》1989,8(6):409-415
  相似文献   
10.
本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥1.75的磁阻元件。主要技术指标达到了目前国际同类产品水平。  相似文献   
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