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1.
基于肿瘤靶向热疗的磁性微/纳米颗粒研究进展   总被引:11,自引:0,他引:11  
介绍了磁性微/纳米颗粒在肿瘤靶向热疗中的应用开发现状,展望了其发展前景。重点总结了不同尺度和种类磁性微/纳米颗粒的作用机理、制作方法和特点以及临床治疗效果。  相似文献
2.
铁电/铁磁复合材料的磁性能和介电性能研究   总被引:8,自引:2,他引:6  
铁电/铁磁复合材料是一类在材料内部同时共存铁电相和铁磁相的重要功能材料。在外加磁场和电场的作用下,其磁化和极化状态易于调控。笔者以铁电性的钛酸钡和铁磁性镍铜锌铁氧体纳米粉为原料。采用固相反应法,合成了一系列铁电/铁磁复合材料。研究表明:在一定温度下烧结所得的铁电/铁磁复合材料,由铁电相和铁磁相两相所组成,对外表现出铁电性和铁磁性。该复合材料同时具有电感和电容两种特性,而且频率稳定性好,有望替代现有的分立式无源滤波器,做到真正的集成而广泛应用在集成电路中。  相似文献
3.
Sb掺杂SrTiO3电子结构的第一性原理计算   总被引:4,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3(x=0,0.125,0.25,0.33)体系电子结构,分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响.所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:体系的导电性与掺杂浓度有关,Sb掺杂在母体化合物SrTiO3中引入了大量的传导电子,费米能级进入导带.当Sb掺杂浓度x=0.125时,体系显示金属型导电性.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.  相似文献
4.
Magnetic effects of direct ion implantation of Mn and Fe into p-GaN   总被引:3,自引:0,他引:3  
In p-GaN implanted with Mn (3×1016 cm−2 at 250 keV), the material after annealing shows ferromagnetic properties below 250 K. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) revealed the presence of platelet structures with hexagonal symmetry. These regions are most likely GaxMn1−xN, which produce the ferromagnetic contribution to the magnetization. In p-GaN implanted with Fe, the material after annealing showed ferromagnetic properties at temperatures that were dependent on the Fe dose, but were below 200 K in all cases. In these samples, TEM and diffraction analysis did not reveal any secondary phase formation. The results for the Fe implantation are similar to those reported for Fe doping during epitaxial growth of GaN.  相似文献
5.
全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长   总被引:2,自引:0,他引:2  
我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法.该方法的普适性通过研究 Si(111)-7×7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实.通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算,我们确定了这些团簇独特的原子结构,阐明了这些结构的形成机理.我们发现团簇和表面之间的强相互作用是获得团簇的特定尺寸和其有序排列的关键所在.  相似文献
6.
Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述  相似文献
7.
Hf掺杂锐钛矿TiO2电子结构的第一性原理研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对Hf掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构进行了第一性原理研究。对通过对能带和电子态密度的分析,发现在Hf掺杂后,导带底和价带顶同时降低,但是由于价带顶下降的比导带底多,从而使得锐钛矿型TiO2的禁带宽度变窄。  相似文献
8.
左春英  温静  钟成 《半导体学报》2012,33(7):072001-6
The electronic structure and optical properties of pure, C-doped, C-F codoped and C-F-Be cluster-doped ZnO with wurtzite structure were calculated by density functional theory with the plane-wave ultrasoft pseudopotentials method. The results indicate that p-type ZnO can be obtained by C incorporation, and the energy level of CO above valence band maximum is 0.36 eV. The ionization energy of the complex Zn16O14CF and Zn15BeO14CF can be reduced to 0.23 and 0.21 eV, individually. These results suggest that the defect complex of Zn15BeO14CF is a better candidate for p-type ZnO. To make optical properties clear, we investigated the imaginary part of the complex dielectric function of undoped and C-F-Be doped ZnO. We found that there are strong absorption in the energy region less than 2.7 eV for C-F-Be doped system comparing to pure ZnO.  相似文献
9.
C掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了C掺杂纤锌矿ZnO的电子结构。结果表明,C代Zn位属于n型掺杂,且可使系统由直接带隙半导体变为间接带隙半导体;C代O位可产生受主能级,使系统实现p型转变;两种情况共存时,C代Zn位对C代O位有补偿作用,对系统的p型转变不利。  相似文献
10.
锰掺杂ZnO稀磁半导体的制备及铁磁性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
用溶胶-凝胶法,在超声波辅助条件下制备了Mn掺杂ZnO(Zn1-xMnxO,x≤0.05)稀磁半导体(DMS)纳米晶粉末样品.用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、超导量子干涉(SQUID)测磁仪分别对样品形貌、结构和磁性能进行了表征.较低的掺杂浓度下样品很好地保持ZnO的纤锌矿结构,随着掺杂浓度x的增加,样品的晶格常数近似线性增大,没有观察到杂质相.样品Zn0.98Mn0.02O显示了很好的铁磁性,居里温度在350 K以上.  相似文献
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