AlGaN/GaN HEMT器件的研制

介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为1μm ,获得的最大跨导为12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为0 95A/mm .  

GaN基紫外探测器及其研究进展

宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。  

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.  

GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究

基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明，GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高，通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20％；同时，低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率，并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。  

氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率

从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为。以电子迁移率与异质结构间的关联为依据,提出了优化设计异质结构来增大电子迁移率和降低迁移率随电子浓度变化的新思路。  

GaN基肖特基结构紫外探测器

在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm～ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响  

GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.  

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高 MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量  

PDP、FED及LED发光材料的最近发展

对彩色等离子体平板显示（ＰＤＰ）、场发射显示（ＦＥＤ）、蓝／绿发光二极管（ＬＥＤ）及蓝紫光激光二极管（ＬＤ）用的发光材料的现状和最近发展予以综述和讨论。  

X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD

The growth,fabrication,and characterization of 0.2μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs, with a high mobility GaN thin layer as a channel,grown on (0001) sapphire substrates by MOCVD,are described.The unintentionally doped 2.5μm thick GaN epilayers grown with the same conditions as the GaN channel have a room temperature electron mobility of 741cm2/(V·s) at an electron concentration of 1.52e16cm-3.The resistivity of the thick GaN buffer layer is greater than 1e8Ω·cm at room temperature.The 50mm HEMT wafers grown on sapphire substrates show an average sheet resistance of 440.9Ω/□ with uniformity better than 96%.Devices of 0.2μm×40μm gate periphery exhibit a maximum extrinsic transconductance of 250mS/mm and a current gain cutoff frequency of 77GHz.The AlGaN/GaN HEMTs with 0.8mm gate width display a total output power of 1.78W (2.23W/mm) and a linear gain of 13.3dB at 8GHz.The power devices also show a saturated current density as high as 1.07A/mm at a gate bias of 0.5V.