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光盘存储技术正逐步占据数据记录的主导地位,其中的相变光盘吸引了越来越多的研究者。本文研究了Bi的掺入对相变光盘GaSb靶材性能的影响,通过XRD分析得到Bi原子主要代替靶材中的Sb原子,DSC分析表明随着Bi的含量的增加靶材的熔点下降。 相似文献
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采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb0.93Bi0.07/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。 相似文献
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