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1.
AlGaN/GaN HEMT器件的研制   总被引:15,自引:9,他引:6       下载免费PDF全文
介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为1μm ,获得的最大跨导为12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为0 95A/mm .  相似文献
2.
GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究   总被引:9,自引:5,他引:4  
利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究.观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象.并且测试频率越低、正向电压越大.这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。  相似文献
3.
The growth,fabrication,and characterization of 0.2μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs, with a high mobility GaN thin layer as a channel,grown on (0001) sapphire substrates by MOCVD,are described.The unintentionally doped 2.5μm thick GaN epilayers grown with the same conditions as the GaN channel have a room temperature electron mobility of 741cm2/(V·s) at an electron concentration of 1.52e16cm-3.The resistivity of the thick GaN buffer layer is greater than 1e8Ω·cm at room temperature.The 50mm HEMT wafers grown on sapphire substrates show an average sheet resistance of 440.9Ω/□ with uniformity better than 96%.Devices of 0.2μm×40μm gate periphery exhibit a maximum extrinsic transconductance of 250mS/mm and a current gain cutoff frequency of 77GHz.The AlGaN/GaN HEMTs with 0.8mm gate width display a total output power of 1.78W (2.23W/mm) and a linear gain of 13.3dB at 8GHz.The power devices also show a saturated current density as high as 1.07A/mm at a gate bias of 0.5V.  相似文献
4.
将遗传算法用于HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进,改进后的遗传算法自动优化遗传,杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传,杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度,在1-26.5GHz频率范围内,用改进的遗传算法提取了Ga0.49In0.51P/GaAs HBT交流小信号等效电路模型的全部16个参数,得到了令人满意的模拟与测量S参数的比较结果。  相似文献
5.
微波HBT建模技术研究综述   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
孙玲玲  刘军 《电子学报》2005,33(2):336-340
 本文对微波异质结双极型晶体管(HBT)发展及其应用现状、用于HBT器件的等效电路模型,以及HBT器件大、小信号建模技术、模型参数提取方法及研究进展进行述评.  相似文献
6.
高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制   总被引:7,自引:4,他引:3       下载免费PDF全文
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.  相似文献
7.
大功率泵浦DPL被动调Q的计算机模拟   总被引:6,自引:2,他引:4  
大功率泵浦DPL的被动调Q技术一直是研究的重点。通过对被动调Q的理论分析,以及在大功率条件下,以初始透过率T0为自变量对输出脉冲序列特性进行数值分析,得出了相应的图表。可以看出随着初始透过率的增大,脉宽和重复率都增大,同时峰值功率减小。将被动调Q与声光调Q加以比较,得出被动调Q技术适用于大功率泵浦DPL的结论。  相似文献
8.
半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文提出了一种由半导体激光器(LD)的外特性,如端口电特性和小信号频率响应,确定其大信号等效电路模型参数的新方法。并对一个InGaAsP脊形波导LD和一个隐埋异质结LD进行了参数提取。这种方法,不需要了解LD的内部特性,分析的结果与已报道的理论、实验值一致。  相似文献
9.
运用小信号分析法,研究了多光子非线性Compton散射下的调制不稳定性(MI)对波分复用系统的影响,结果表明:计及散射光的调制不稳定性,不仅会使波分复用系统的信噪比(SNR)更快地下降,从而导致信号强度更快地减弱,而且还会对噪声有更大的放大作用;这种调制不稳定性对波分复用系统中各信道的影响是不同的,它对短波段的作用强于长波段,也会使各信道的信噪比产生更大的偏差,将使长波段较短波段有更大的信噪比,信噪比的降低将随着长度的增加有较快的积累.  相似文献
10.
RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
A Si doped AlGaN/GaN HEMT structure with high Al content (x=43%) in the barrier layer is grown on sapphire substrate by RF-MBE.The structural and electrical properties of the heterostructure are investigated by the triple axis Xray diffraction and Van der PauwHall measurement,respectively.The observed prominent Bragg peaks of the GaN and AlGaN and the Hall results show that the structure is of high quality with smooth interface.The high 2DEG mobility in excess of 1260cm2/(V·s) is achieved with an electron density of 1.429e13cm-2 at 297K,corresponding to a sheet-densitymobility product of 1.8e16V-1·s-1.Devices based on the structure are fabricated and characterized.Better DC characteristics,maximum drain current of 1.0A/mm and extrinsic transconductance of 218mS/mm are obtained when compared with HEMTs fabricated using structures with lower Al mole fraction in the AlGaN barrier layer.The results suggest that the high Al content in the AlGaN barrier layer is promising in improving material electrical properties and device performance.  相似文献
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