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1.
通过对单体光伏电池的物理模型的研究,给出了易于求解、便于仿真的光伏阵列的数学模型,该模型可以计算在任一环境温度、太阳辐射强度下光伏电池的I-V特性;以该模型为基础,在工程误差允许的范围内,给出了可行的最大功率点的计算公式。Matlab仿真结果表明,光伏阵列的输出特性随温度和光强的变化而变化,并且光伏阵列I-V和P-V特性呈非线性;在不同光强和温度下,光伏阵列最大功率点不同,它能较好地反应光伏阵列的实际特性。 相似文献
2.
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式,并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。 相似文献
3.
在分析混凝土结构中钢筋锈蚀的基本原理和常用保护方法的基础上,提出应用水泥基pn结给钢筋附加一个保护电场,提高钢筋中电子的逸出功,防止氧化,达到保护钢筋的目的.实验研究水泥基pn结的伏安特性的结果表明,由钢纤维混凝土和碳纤维混凝土组成的pn结具有比较典型的pn结伏安特性曲线,能够为混凝土中的钢筋提供所需的保护电场. 相似文献
4.
5.
6.
利用MOCVD工艺可制备得到锐钛矿型TiO2薄膜,在其上溅射金属Pt并控制工艺流程的温度,Pt/TiO2间将形成良好的金半整流接触。该Pt/TiO2肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性,响应时间短,对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏。 相似文献
7.
Au/(Si/SiO2)/p-Si结构中电流输运机制的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析。结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。 相似文献
8.
为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。 相似文献
9.
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