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1.
空间遥感用InGaAs短波红外探测器   总被引:6,自引:0,他引:6  
简要比较了短波HgCdTe与InGaAs探测器的性能,介绍了PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用InGaAs的研究进展,并说明了研制空间遥感用InGaAs/InP光电探测器的意义.  相似文献
2.
基于FPGA的100MHz近红外单光子探测器   总被引:6,自引:6,他引:0  
为克服InGaAs/InP雪崩二极管(APD)光电探测器的后脉冲现象,本文提出了基于FPGA的单光子探测器(SPD)测量系统,其门控频率最高可达100MHz,门控宽度最窄可到1ns,死区时间设定为109ns,并且这些参数都易于调节且有助于减少后脉冲概率。实验结果表明:在以上门控条件并且制冷温度为218K时,探测器的有效门宽为0.79ns;在死区时间超过109ns时,后脉冲现象可忽略;最大光子探测效率(PDE)约为14%;在光子探测效率为10%时,暗计数率(DCR)约为2×10-5/ns;并具有小型化、易调节的特点。  相似文献
3.
InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了InGaAsP单量子陆微盘激光器,并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡,证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用,反映了微盘的微腔特征。  相似文献
4.
一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法   总被引:5,自引:4,他引:1       下载免费PDF全文
提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90~ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0~ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 ,大大提高了纳米栅器件的成品率  相似文献
5.
脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算   总被引:4,自引:1,他引:3  
田洪涛  陈朝 《中国激光》2003,30(8):755-758
在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 ,给出一种较直观的脉冲激光辐照有限厚双层材料Zn/InP的温度分布解析形式  相似文献
6.
一种基于多模干涉耦合器的集成光开关研制   总被引:4,自引:3,他引:1  
设计并制作了一种采用InP/InGaAsP材料的2×2基于多模干涉(MMI)器的Mach-Zehnder干涉仪(MZI)光开关,用三维有限差分束传播法(3D-BPM)对器件进行了优化设计与模拟分析。开关端口设计为单模波导且对偏振不敏感,采用电流注入调制相移区折射率,当折射率的改变引起π相位差时实现开关状态转换。测试结果表明,当注入电流达到43 mA时光信号从交叉端口交换到直通端口,开和关状态的串扰分别为-19.2 dB和-14.3 dB。  相似文献
7.
Zn diffusion into InP was carried out ex-situ using a spin-on dopant as a diffusion source. The characteristics of Zn-doped InP are analyzed using low-temperature photoluminescence (PL), differential Hall measurement, and secondary ion mass spectrometry (SIMS). Dopant activation of Zn is close to 100% using this method. Band-to-acceptor (B-A) transition peak is dominant in PL, which is a characteristic usually found in in-situ doping. This evidence along with an activation energy of 0.5 eV show that the diffusion is substitutional rather than interstitial.  相似文献
8.
HBT结构的新进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
石瑞英  刘训春 《半导体技术》2002,27(6):69-72,76
介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较。  相似文献
9.
1.3μm高速PIN光电二极管   总被引:3,自引:1,他引:2  
陶启林 《半导体光电》2001,22(4):271-274
综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InPPIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0.7A/W,暗电流小于5nA。  相似文献
10.
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.  相似文献
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