全文获取类型
收费全文 | 3432篇 |
免费 | 502篇 |
国内免费 | 301篇 |
专业分类
电工技术 | 83篇 |
综合类 | 156篇 |
化学工业 | 37篇 |
金属工艺 | 21篇 |
机械仪表 | 158篇 |
建筑科学 | 44篇 |
矿业工程 | 14篇 |
能源动力 | 4篇 |
轻工业 | 59篇 |
水利工程 | 23篇 |
石油天然气 | 5篇 |
武器工业 | 68篇 |
无线电 | 3082篇 |
一般工业技术 | 133篇 |
冶金工业 | 15篇 |
原子能技术 | 13篇 |
自动化技术 | 320篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 97篇 |
2022年 | 95篇 |
2021年 | 122篇 |
2020年 | 119篇 |
2019年 | 156篇 |
2018年 | 88篇 |
2017年 | 136篇 |
2016年 | 142篇 |
2015年 | 144篇 |
2014年 | 230篇 |
2013年 | 201篇 |
2012年 | 237篇 |
2011年 | 219篇 |
2010年 | 218篇 |
2009年 | 196篇 |
2008年 | 256篇 |
2007年 | 208篇 |
2006年 | 176篇 |
2005年 | 238篇 |
2004年 | 137篇 |
2003年 | 107篇 |
2002年 | 87篇 |
2001年 | 89篇 |
2000年 | 74篇 |
1999年 | 40篇 |
1998年 | 58篇 |
1997年 | 44篇 |
1996年 | 39篇 |
1995年 | 27篇 |
1994年 | 36篇 |
1993年 | 33篇 |
1992年 | 41篇 |
1991年 | 46篇 |
1990年 | 45篇 |
1989年 | 37篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有4235条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
在高光谱图像分析领域中,波段选择是一种能有效减少高光谱图像维度的方法。K类仿射传播算法是一种高效的聚类算法,已成功地应用于人脸识别和数据分析等领域,但在高光谱图像分析领域还少有成功的应用。提出将K-AP算法应用于高光谱图像波段选择,对高光谱图像进行有效的数据压缩。针对K-AP算法的特点,基于Kullback-Leibler散度定义了新的相似度矩阵,对波段进行度量,再使用K-AP算法进行聚类,选择最有代表性的波段。实验结果表明,与常用的波段选择方法相比,所提出的方法有更好的表现。 相似文献
2.
3.
4.
通过在空间光调制器(SLM)上加载相位图或通过光刻加工微型圆锥状结构可以产生贝塞尔光束阵列。然而,典型空间光调制器具有比波长大一个数量级的像素尺寸,这限制了相位梯度的可用范围,用光刻法加工的微型锥透镜的顶端不是标准的圆锥,这影响了贝塞尔光束的质量。为了克服这些缺点,将复杂的相位图加载到电介质超表面上,设计了一种可以产生阵列贝塞尔光束(在波长700 nm处,NA=0.3)的超表面器件。该器件可以宽波段工作,其单元结构在波长580~800 nm范围内的偏振转换效率均超过57%。利用时域有限差分算法(FDTD)对该器件(厚度为380 nm,直径仅为40 μm)进行了仿真,所产生的阵列光束都垂直于超表面器件。所提出的阵列贝塞尔光束发生器具有纳米级别的厚度和几十微米的直径,这对于未来的集成光学领域具有很大的应用前景。 相似文献
6.
7.
建立了工作在一定入射角度范围内的多层衍射光学元件的复合带宽积分平均衍射效率的分析模型。基于衍射光学元件所具有的独特的消色差和消热差性质,设计了一个含有双层衍射光学元件的工作在3.7~4.8mm和7.7~9.5mm红外双波段光学系统。光学系统的焦距为100mm,F#为2,采用像元数为640×512、间距为15mm的制冷型探测器。该系统在空间频率33lp/mm时,中、长波红外MTF分别高于0.52和0.16,最大RMS半径小于9.88mm,波前像差小于0.0705λ,最大离焦量小于焦深,在-40℃~71℃范围内实现了无热化设计。系统中采用的双层衍射光学元件在红外双波段的带宽积分平均衍射效率高于99.15%。入射到衍射面上的角度为0°~10°,该双层衍射光学元件在中波和长波波段的复合带宽积分平均衍射效率分别为97.70%和96.95%。 相似文献
8.
9.
10.
《固体电子学研究与进展》2020,(3)
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8~6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。 相似文献