在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路

设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路．该功率集成电路芯片的实现,为SOI高压功率开关电路提供了一种更为方便快速的数字控制设计方法,同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证,从而证实了功率系统集成的探索在理论上以及工程上具有一定的可行性．     

高压RESURF LDMOS开态击穿模型

建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布.基于该模型可以计算出高压 RESURF LDMOS的电学SOA.数值模拟和实验结果部分验证了模型的正确性.该模型有助于深入理解LDMOS开态击穿的物理过程,可用于指导高压LDMOS的设计.     

数字电视发射机发展技术特点简析

本文针对全球掀起的数字电视无线发射热潮，对数字电视发射机的发展技术特点趋势进行了较详细地介绍和分析。论述了数字电视发射机中所使用的数字自适应预校正技术、LDMOS技术、N＋1技术和发射机的冷却技术等以及使用这些新技术的优势。     

用于VOIP网关的SLIC解决方案

Si3226x系列产品是集成了电平转换器／驱动器的FXS解决方案,允许直接连接到DC／DC转换器的功率管上,而不用考虑输入电压。该系列产品在整体FXS系统功耗最小化方面达到了新     

阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究

提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%.     

超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究

针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm²,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm。     

埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响

研究了P埋层深度对体硅 Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考。     

基于MOS管稳定驱动功率管的门级电路设计

GaN功率管具有高击穿电压和高开关频率,但其自身也存在一些缺陷,一是没有一个额定的雪崩电压值,二是损耗高以及高开关频率下EMI特性差的问题.针对GaN功率管自身所存在的问题,提出一种基于MOS管来设计GaN功率管的门级驱动控制电路.通过电流驱动调节电路控制电流的变化率,以此控制GaN功率管的开启,进而改善GaN功率管的EMI性能;通过控制GaN功率管的导通驱动电压以及电容放电产生的栅极关断驱动电压,可精准控制功率管的导通或关断,进而避免误触发.这种基于MOS管设计的高稳定性门级驱动电路,可解决GaN功率管自身所存在的问题,能够提升功率管的可靠性和稳定性,实现低损耗的目的.