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1.
利用ADS软件设计X频段低噪声放大器   总被引:3,自引:0,他引:3  
首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其工作频段为8.6~9.5 GHz,噪声系数≤1.8 dB,增益为23 dB,带内平坦度≤±0.5 dB。  相似文献
2.
一种应用于6-9GHz UWB系统的低噪声CMOS射频前端设计   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
周锋  高亭  兰飞  李巍  李宁  任俊彦 《半导体学报》2010,31(11):115009-5
本文介绍了一种应用于6-9 GHz超宽带系统的全集成差分CMOS射频前端电路设计。在该前端电路中应用了一种电阻负反馈形式的低噪声放大器和IQ两路合并结构的增益可变的折叠式正交混频器。芯片通过TSMC 0.13µm RF CMOS工艺流片,含ESD保护电路。经测试得该前端电路大电压增益为23~26dB,小电压增益为16~19dB;大增益下前端电路平均噪声系数为3.3-4.6dB,小增益下的带内输入三阶交调量(IIP3)为-12.6dBm。在1.2V电压下,消耗的总电流约为17mA。  相似文献
3.
1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器   总被引:2,自引:0,他引:2  
讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA.后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA.  相似文献
4.
CMOS射频集成电路中器件模型的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
施超  庄奕琪 《微电子学》2002,32(6):405-408
采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点.文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型.为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块-低噪声放大器(LNA)-的设计实例.测试结果表明,该模型具有高效、实用的特点.  相似文献
5.
一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器   总被引:1,自引:1,他引:0  
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。  相似文献
6.
代应波  韩科锋  闫娜  谈熙 《半导体学报》2012,33(1):015005-7
摘要:本文给出了一个针对发射机载波泄露抑制的宽动态范围线性射频功率检测器的设计。该检测器基于对数放大器原理,并运用逐级检测的方法在射频频段实现宽动态范围。为提高灵敏度,检测器前端放置了一个低噪声放大器。而出于减小寄生和面积的目的,检测器采用直流耦合的架构,但这将导致电路中的直流失调对其动态范围形成危害。因此,本文提出一个直流失调消除技术用于消除检测器的直流失调。最终,检测器采用SMIC 0.13μm CMOS 工艺流片,测试结果表明其在900MHz/2GHz,分别实现了50dB/40dB的宽动态范围且检测误差在?1dB之内,功耗为16mA?1.5V。面积为0.27?0.67mm2。  相似文献
7.
X波段GaN单片电路低噪声放大器   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应,并进行了相应讨论。  相似文献
8.
低功耗CMOS UWB LNA设计综述   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了适用于WB-LNA电路设计的五种结构,分析了每种结构的噪声系数及其他性能参数。结合当前最新设计,分析探讨了电流复用技术、等效跨导增大技术以及噪声消除技术。电流复用技术可以降低功耗,且不受限于各种结构;等效跨导增大技术用于共栅结构WB-LNA电路,在不增加功耗的前提下,提高增益和噪声性能;噪声消除技术可以用于共栅结构或电阻反馈结构WB-LNA电路,主要用来改善噪声性能。  相似文献
9.
一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz,最大增益为21.8 dB、最小增益8.2 dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7 dB,典型的IIP3为-7 dBm。  相似文献
10.
SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA).由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数.基于0.35 μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程.为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻.由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282 mm2.测试结果表明,在工作频带0.2-1.2 GHz内,LNA噪声系数低至2.5 dB,增益高达26.7 dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4 dB和-10 dB.  相似文献
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