一维光子晶体的偏振特性研究

本文采用光子晶体带隙结构计算的Pendry理论研究了一维光子晶体的偏振特性,由Pendry理论导出的传输矩阵法计算了TE模和TM模的透射谱,不同入射角时基频PBG(Photonic band gap)分布,固定入射角及入射光频率时透射率随介质a的填充率因子变化曲线.  

光纤光栅特性分析

本文介绍了由传输矩阵计算光纤光栅特性的方法，并应用该方法分析了不同切趾形式的Bragg光纤光栅反射谱，变周期光纤光栅的反射谱和色散特性，相移光栅以及取样光栅的反射谱。得出了光栅参量对其特性的影响规律，并用实验验证了切趾光栅、取样光栅的理论分析。  

用琼斯传输矩阵法研究二阶偏振模色散的统计特性

利用琼斯传输矩阵法研究了二阶偏振模色散的统计特性。对数值模拟中出现的偏振模色散随步长变化的问题做了相应的修正 ,利用修正后的模型得到了偏振模色散矢量的频率相关特性 ;模拟了偏振模色散值为 2 5ps时二阶偏振模色散的几率分布 ,所得结果与理论结果能够很好地吻合 ;简单地分析了脉宽为 8ps的高斯脉冲在此条件下的展宽情况 ,指出了高阶补偿的必要性。  

啁啾相移光纤光栅的反射谱特性

相移光纤光栅作为透射型滤波器件降低了使用成本,在光通信和传感领域有着较高的应用价值.将传输矩阵法与谐振理论相结合,详细分析了相移量、相移点位置对啁啾相移光栅反射谱特性的影响,数值模拟和实验结果表明,啁啾相移光栅与均匀相移光栅不同,当位于啁啾光栅中点的相移调制量偏离π/2时,透射峰在偏离光栅反射谱中心的同时深度逐渐减小;当相移点在光栅上的位置发生变化时,透射峰位置也随之改变,但深度基本保持不变.利用啁啾光栅的这种特性,可形成具有多个透射峰的多点相移光栅.  

一种研究电磁波在分层介质中传输的新方法

利用电磁波在界面的边界条件，推导一种研究电磁波在分层介质中传输的新方法——传输矩阵法，并将传输矩阵法与经典的特征矩阵法作了比较。得出：传输矩阵法不仅能够解决特征矩阵法所能解决的全部问题，而且还能够解决特征矩阵法所不能解决的问题。因此传输矩阵法是一种比特征矩阵法更基本、应用范围更广的新方法。  

均匀光纤布拉格光栅横向受力特性的理论分析

对均匀光纤布拉格光栅(FBG)中间一段横向受力特性在仿真的基础上作了理论和实验研究。采用传输矩阵法分析了光纤布拉格光栅中间一段横向受力时的反射谱变化,并且基于传输矩阵法进行了数学推导。当光纤布拉格光栅中间一段受到横向力时,反射谱的反射峰发生分裂,并且分裂点随受力大小的变化呈线性、周期性的移动。给出了线性表达式,分裂点以11.06 N为周期在光纤布拉格光栅的全波带宽内移动,周期内分裂点波长漂移相对于受力的灵敏度约为带宽与周期的比值,周期大小与受力光栅长度无关。给出了详细的理论分析、仿真结果和实验图谱,实验结果与仿真效果一致。  

改进的光纤光栅多层膜分析方法

将多层膜理论与传输矩阵方法相结合 ,提出了一种光纤光栅的分析方法。该方法将光纤光栅看作一多层膜系统 ,每层薄膜用 2个 2× 2的矩阵 (界面传输矩阵和膜层传输矩阵 )来表示。将每层的传输矩阵依次相乘 ,最后得到 1个 2× 2的矩阵 ,进而可以得到光纤光栅的特性。该方法避免了传统传输矩阵方法中对耦合模微分方程的求解 ,可以对各种光纤光栅作出灵活、精确的分析 ,且与传统的多层膜方法相比更简单、直接。用该模型模拟了多种光栅的光谱特性 ,分析讨论了计算参数设定对计算精度的影响以及计算误差。  

时域有限差分法的Matlab仿真

介绍了时域有限差分法的基本原理，并利用Matlab仿真，对矩形波导谐振腔中的电磁场作了模拟和分析。  

光束变换环形孔径谐振腔的失调特性分析

光束变换环形孔径激光谐振腔(BCAR)是适用于环形增益介质的高性能谐振腔，已成功应用到高能连续波HF化学激光器中。建立了光束变换环形孔径激光谐振腔镜面倾斜及非共轴的数学模型，在此基础上，使用积分和差分结合的计算方法，计算了失调腔的输出光场近场分布，分析了束变换环孔腔在镜面失调情况下的模式特征，以及对远场传输能力的影响。计算结果表明，非共轴偏移和紧束段倾斜将使输出光场的相位分布呈现剪切、扭曲现象，并且沿偏移方向出现相位跳变；随偏移量的增大，相位畸变严重，远场传输能力下降。不同的偏移方向对于输出光场影响差别很小。两者相比，非共轴偏移对输出光场质量的影响更为严重，而紧束段倾斜的影响相对而言非常小，表现在相位分布的扭曲现象不明显，谐振腔的能量抽取效率变化微弱。  

基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器

报道了一种长波长的In P基谐振腔(RCE)光电探测器.采用选择性湿法刻蚀,制备出基于In P/空气隙的分布布拉格反射镜,并将该结构的反射镜引入RCE光电探测器.制备的器件在波长1.5 10 μm处获得了约5 9%的峰值量子效率,以及8GHz的3d B响应带宽,其中器件的台面面积为5 0 μm×5 0 μm.