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1.
射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光   总被引:17,自引:6,他引:11       下载免费PDF全文
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .  相似文献
2.
TFT-LCD周边驱动电路集成化设计   总被引:16,自引:13,他引:3  
根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。  相似文献
3.
非晶纳米Si3N4对POM的增强与增韧研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
本文报导了非晶纳米Si3N4对聚甲醛的改性,使聚甲醛手冲击哟闰伸强度分别提高了160%和25%,给出了强度与填充量的对应关系并分析了增强与增韧的机理。  相似文献
4.
激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究   总被引:12,自引:5,他引:7  
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用XRD、SEM等分析手段,进行了表征与分析,对晶体的阈值能量密度进行了计算,并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明:α-Si晶化的阈值能量密与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密量的增加而增加。  相似文献
5.
射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光   总被引:11,自引:4,他引:7  
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁.随着光激发强度的增加,紫光发射强度超线性增强,且稍有蓝移,而紫外光发光强度则近似线性增加.在氧气中高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,紫光发射强度变弱,紫外光发射相对增强.  相似文献
6.
新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感   总被引:11,自引:6,他引:5       下载免费PDF全文
刘畅  陈学良  严金龙 《半导体学报》2001,22(12):1486-1489
提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法 .这种方法是直接在硅衬底形成间隔的 pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流 .衬底 pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺 .本文设计和制作了硅集成电路 ,测量了硅集成电感的 S参数并且从测量数据提取了电感的参数 .研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素 Q的影响 .结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果 .在 3GHz,衬底 pn结隔离能使电感的品质因素 Q值提高4 0 % .  相似文献
7.
激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究   总被引:10,自引:1,他引:9  
王安安  袁波 《中国激光》1997,24(2):169-173
报道了对NiCrSiB激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察,将共晶中的第二相标定为Ni31Si12。γ′(Ni3Si)相与γ(Ni,Cr)相共存于枝晶中,共晶包围着枝晶形成合金的基体,其上弥散分布着硬质强化相CrB,Ni3B和M23(CB)6。研究方法包括SEM(扫描电子显微镜),电子探针,XRD(X射线衍射),EDAX(能谱分析)和波谱分析等  相似文献
8.
Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响   总被引:10,自引:2,他引:8  
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。  相似文献
9.
国内外多晶硅发展现状   总被引:10,自引:0,他引:10  
叙述了国内外多晶硅的发展概况,讨论了多晶硅生产过程中改良西门子法的几项关键技术,并对我国多晶硅材料的研究提出了几点建议。  相似文献
10.
金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究   总被引:10,自引:6,他引:4       下载免费PDF全文
利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 ,对晶化过程的机理进行了讨论  相似文献
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