首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   38篇
  完全免费   8篇
  无线电   46篇
  2017年   2篇
  2016年   1篇
  2015年   4篇
  2014年   5篇
  2013年   8篇
  2012年   2篇
  2011年   3篇
  2010年   4篇
  2009年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  2001年   2篇
  1999年   1篇
  1997年   1篇
  1994年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
酸性氯化铜蚀刻液与碱性氯化铜蚀刻液比较   总被引:3,自引:0,他引:3  
辰光 《印制电路信息》2003,(9):38-38,57
本文针对酸性氯化铜蚀刻液与碱性氯化铜蚀刻液的组成本性计算方面作一简单的对比,为业界同仁提供一 个参考方向,对新手或行外人士以启迪,有事半功倍之受用。  相似文献
2.
ZnO/TiO2多层薄膜氨气敏光学特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
陈凯  吴文鹏  郑顺镟 《激光技术》2001,25(3):209-213
介绍用S-G法制备了ZnO/TiO2多层薄膜的方法,研究了在几种还原性气体中的气敏透射光谱,发现其对氨气具有优良的选择性,且其光学透过率在一定浓度范围内随蒸气浓度增加而显著地单调上升,敏感波段扩展到整个可见光区域。这是一种有实用价值的气敏光纤传感材料。讨论了该多层薄膜的气敏光学机理和高选择性的机理。  相似文献
3.
前置反射罩氨热管黑体辐射源   总被引:1,自引:1,他引:0  
为满足红外耳温计现场校准和量值比对的需求, 研制了30~42℃便携前置反射罩不锈钢-氨 热管黑体辐射源。黑体辐射源空腔为圆柱双圆锥形,空腔深为272mm ,内径为60mm,锥 顶角为120°;口部安装紫铜镀金反射罩,反射罩光阑开口直径为20mm,张角为100°,内表面喷 涂发射率为0.95的黑漆;利用基于Monte Carlo法的STEEP321NIM计算 软件,计算出的空腔口平面0°到 100°出射角内的有效发射率均优于0.999。温 度控制系统由PID调节器、高稳定精密铂电阻、直流电源和双 金属限温开关等组成,实现了黑体辐射源温度控制的高可靠性。实验测量的黑体辐射源温度 稳定性优于0.002℃/20min,空腔测温管内均匀性优于0.03℃。  相似文献
4.
讨论了线偏振微波场中氨分子的演化。在旋转波近似下利用旋转坐标系法求出了系统的薛定谔 (Schrodinger)方程的解,计算了系统演化的极化矢量及其几何位相。  相似文献
5.
室温常压下,储存在高压钢瓶中的氮,氢气体,流经石英玻璃气套,石英玻璃气套安放在一对圆柱面电极中间,两圆柱面电极与交流电源相连接,电源的输出电压为8 ̄15kV,频率为50Hz ̄20kHz。石英玻璃气套中的氮氢气体被高电场强度的交流电场所激活,具有了化学活泼性。常温常压下的气体分子间发生频繁的碰撞可引发化学反应。  相似文献
6.
郑顺镟  叶磊 《四川激光》1997,18(2):17-19,27
本文作者利用SnO2:TiO2气敏光学薄膜设计制成气敏光纤传感器,并用它测定氨蒸汽浓度,传感器的灵敏范围为150 ̄6000ppm,灵敏度为200ppm。  相似文献
7.
闻瑞梅  范伟  邓守权 《电子学报》2006,34(8):1367-1371
本文研究了用电脱盐(Electrodeionization)EDI,去除高纯水中痕量氨(NH3和NH4 )的新方法.研究高纯水中弱离子化杂质氨的去除及其机理;研究了电流、进水电导率、进水流量和pH等对EDI去除水中氨(NH3和NH4 )的影响,进水氨浓度为208mg/L,经过一级EDI的处理,产品水中的总氨含量为0.072mg/L,对离子态铵也有很好去除效果,对进水中NH4Cl浓度为20mg/L~100mg/L,产品水中铵浓度<0.026mg/L.结果说明这方法是目前处理高纯水中痕量氨最好结果,远远低于太空用水<0.5mg/L的要求.还研究了水中氨在EDI中被去除时的物种形态.  相似文献
8.
本文报告激光熔制催化剂,激光功率密度与熔炼温度、熔炼时间、催化剂产量间的关系.给出了激光熔制合成氨催化剂的实验结果。并对实验结果作了讨论。  相似文献
9.
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiNx)薄膜的方法,采用NH3等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiNx薄膜,研究比较了三种薄膜的性质.用X射线光电子谱检测了NH3等离子体氮化Si片得到的SiNx薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率.用NH3和SiH4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiNx薄膜.用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH3氮化再淀积SiNx的样品比直接淀积SiNx的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1~2×10n eV-1cm-2.  相似文献
10.
在30m3的标准环境试验舱中,将一款空气净化器对甲醛、TVOC和氨气的净化性能进行了测试,计算了该净化器对试验气体的洁净空气量、净化效率和去除率。结果表明,该空气净化器对试验的三种气体均有较好的净化效果。  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号