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1.
用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究   总被引:15,自引:0,他引:15       下载免费PDF全文
报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps.  相似文献
2.
半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性   总被引:11,自引:1,他引:10       下载免费PDF全文
施卫  田立强 《半导体学报》2004,25(6):691-696
研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型  相似文献
3.
自对准GaInP/GaAs HBT器件   总被引:10,自引:8,他引:2       下载免费PDF全文
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 ( HBT) ,其特征频率 ( ft)达到 5 4 GHz,最高振荡频率 ( fmax)达到 71GHz,并且 ,这种方法工艺简单 ,成品率高 .文中还对该结果进行了分析 ,提出了进一步提高频率特性的方法  相似文献
4.
太赫兹辐射产生技术进展   总被引:8,自引:3,他引:5  
分别就光学技术和电子学技术产生太赫兹波的方法,介绍其产生原理、研发现状和最新进展,重点介绍了光电导、光整流、参量振荡器和太赫兹量子级联激光器.  相似文献
5.
砷化镓材料与激光相互作用的实验研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
从实验的角度对本征砷化镓与激光的相互作用进行了研究。首先,采用不同功率的Nd:YAG连续激光对该材料进行照射,观察其电导的变化。实验中发现,砷化镓材料对大于其长波限1.06μm的激光有明显的吸收,并表现出光电导现象。对实验现象进行了分析,并对其相应的吸收机理进行了讨论。其次,对于受激光作用后的砷化镓材料样品,利用扫描电镜进行分析,得以观察到激光对材料的热学损伤效果。  相似文献
6.
GaAs晶片化学机械抛光的机理分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
在不同条件下(系统pH值,磨粉浓度,氧化剂浓度),通过对GaAs化学机械抛光速率变化规律的研究和对晶片表面氧化层的俄联(AES)分析,探讨了H2O2胶体磨料化学机械抛光的作用过程(表面氧化十机械磨除+化学去除)和系统pH值对其过程的影响。  相似文献
7.
准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵   总被引:7,自引:4,他引:3  
高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器.报道了17 kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果.为了提高器件的输出功率,一方面采用宽波导量子阱外延结构,降低腔面光功率密度,提高单个激光条的输出功率,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法进行材料生长,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备1 cm激光条,填充密度为80%,单个激光条输出功率达100 W以上;另一方面器件采用高密度叠层封装结构,提高器件的总输出功率,实现了160个激光条叠层封装,条间距0.5 mm.经测试,器件输出功率达17kW,峰值波长为807.6 nm,谱线宽度为4.9 nm.  相似文献
8.
共振隧穿二极管的设计和研制   总被引:7,自引:2,他引:5  
用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。  相似文献
9.
高功率半导体激光器评述   总被引:7,自引:3,他引:4  
曹三松 《激光技术》2000,24(4):203-207
作者综合评述了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体阵列器件结构进行了分析,介绍了设计高功率半导体激光器所涉及的关键技术。  相似文献
10.
GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理   总被引:7,自引:1,他引:6  
从可靠性物理角角度,深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路(GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。  相似文献
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