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1.
透明导电薄膜的研究现状及应用   总被引:31,自引:0,他引:31  
综述了当前透明导电薄膜的最新研究和应用状况,重点讨论了ITO膜的光电性能和当前的研究焦点。指出了目前需要进一步从材料选择、工艺参数制定、多层膜光学设计等方面来提高透明导电膜的综合性能,使其可见光平均透光率达到92%以上,从而满足高尖端技术的需要。  相似文献
2.
氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算   总被引:25,自引:0,他引:25       下载免费PDF全文
范志新  孙以材  陈玖琳 《半导体学报》2001,22(11):1382-1386
以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题  相似文献
3.
导电胶的研究进展   总被引:23,自引:3,他引:20  
导电胶作为无铅连接材料的一种,近年来在电子封装中得到越来越多的重视。导电机理、组成及老化性能的研究成为导电胶实用化的关键因素。各向异性导电胶是连接用Pb/Sn合金的理想替代材料。  相似文献
4.
二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式   总被引:22,自引:1,他引:21  
二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题,建立模型并给出理论表达式,得出的最佳掺杂含量值和实验数据相符。  相似文献
5.
透明导电膜中光吸收边的移动   总被引:21,自引:0,他引:21  
半导体材料的禁带宽度不但决定了材料的原子组成和成键状态,而且还受到固体内部缺陷和外部掺杂的影响。这些杂质和缺限作为施主(或受主)产生自由载流子从两方面改变材料的带隙。一是高浓度载流子使费米能级移进导带产生所谓的Burstein移动使带隙变宽,二是电荷之间的相互作用产生的自能或导带与杂质带的重叠使带隙变窄,本文以ZnO,SnO2,In2O3等氧化物半导体制成的透明导电膜为例回顾近些年来得到的宽禁带半  相似文献
6.
高热导率陶瓷材料的进展   总被引:19,自引:5,他引:14  
叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用,主要包括BeO,BN,AIN等三种陶瓷材料。特别介绍了AIN陶瓷的发展前景及其最新应用。  相似文献
7.
PWM开关变换器的符号分析   总被引:18,自引:2,他引:16  
本文将等效小参量法^「6」,推广到继续电流模式工作的或多个开关拓扑的开关变换器的分析中,可获得全符号表示的直流解及纹波解。  相似文献
8.
激光淬火温度场及材料性能的数值模拟   总被引:17,自引:0,他引:17  
从相变理论和热弹塑性理论出发,并结合激光淬火实验资料,建立了考虑相变过程、温度场和变物性系数的非线性耦合热传导方程;建立了相变组织与材料性能的数值计算模型。然后用有限元法进行了温度场、相变组织分布、材料性能的数值模拟。通过计算与试验结果的比较,计算结果令人满意。在获得激光淬火最佳工艺参数、预测材料性能方面有一定的实际应用价值和理论研究价值  相似文献
9.
电子封装无铅化趋势及瓶颈   总被引:17,自引:4,他引:13  
欧盟通过法令限制电子用品中铅等有害物质的使用,含铅电子产品不久将退出市场,电子封装的无铅化已成必然趋势。焊料的无铅化是无铅封装的关键,目前无铅焊料的研究集中在Sn基焊料和导电胶粘剂两个方向。文中介绍了三种典型无铅焊料体系的不足之处,以及银导电胶研究中的三个难题。另外,关于无铅焊料还没有一个统一的标准。  相似文献
10.
高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究   总被引:16,自引:3,他引:13  
在实用的透明导电氧化物 (TCO)薄膜中 ,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制。如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大 ,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子 ,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子 ,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收 ,是提高 TCO薄膜性能的一条捷径。采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2 O3:Mo,简称 IMO)薄膜中 ,Mo6 +与 In3+的化合价态相差 3,远大于广泛研究和应用的 TCO薄膜材料 In2 O3:Sn、Sn O2 :F和 Zn O:Al中的价态差。IMO薄膜的电阻率可以低至 1.7× 10 - 4 Ω· cm,对 4μm以上波长红外线的反射率和可见光区域的平均透射率 (含 1.2 mm厚玻璃基底 )都高于 80 % ;载流子迁移率高达 80~ 130cm2 V- 1 s- 1 ,远超过其它掺杂 TCO薄膜 ;但是自由载流子浓度只有 2 .5× 10 2 0~ 3.5× 10 2 0 cm- 3,还有很大的发展空间可以进一步提高性能  相似文献
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