首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   121篇
  国内免费   3篇
  完全免费   42篇
  无线电   166篇
  2021年   3篇
  2020年   6篇
  2019年   7篇
  2018年   9篇
  2017年   11篇
  2016年   9篇
  2015年   7篇
  2014年   11篇
  2013年   9篇
  2012年   9篇
  2011年   6篇
  2010年   14篇
  2009年   9篇
  2008年   11篇
  2007年   8篇
  2006年   7篇
  2005年   3篇
  2004年   5篇
  2003年   7篇
  2002年   1篇
  2001年   3篇
  2000年   2篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有166条查询结果,搜索用时 187 毫秒
1.
网格计算及其应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
网络计算给互联网带来了新的活力,它是一种新型的分布计算技术,致力于解决复杂度很高的新应用问题,文中简述了网格计算的定义、体系结构、关键问题、当前几个有代表性的网格系统以及网格应用实例,并分析了风格计算发展趋势。  相似文献
2.
HPMR:多核集群上的高性能计算支撑平台   总被引:6,自引:1,他引:5  
HPMR是建立在多核集群上的高性能计算支撑平台,它继承并改进了MapRedcue并行编程模式,使其适合高性能计算需求.HPMR让并行程序的编写和运行变得非常简单,同时又保持很高的性能.HPMR的实用功能不但使并行程序变得易于扩展和移植,而且增强了并行程序的健壮性.  相似文献
3.
LD抽运的高性能微型绿光激光器   总被引:5,自引:1,他引:4  
研制成高性能微型全固态绿光激光器。用独特的整体控温技术提高器件效率 ,全部元件固化为一个整体以提高激光输出功率和光束指向稳定性 ,用 1W的LD纵向抽运Nd∶YVO4 /KTP激光器 ,获得 195mW的TEM0 0 模 0 53μm连续激光输出。输出功率不稳定度≤± 2 % ,光束方向稳定性优于 0 0 1mrad/hr和 0 0 3mrad/ 2 4hrs。该器件体积小 ,效率高 ,使用方便。  相似文献
4.
高性能路由器技术体系、关键问题及发展趋势   总被引:5,自引:1,他引:4  
汪斌强  王建东 《电信科学》2003,19(10):23-28
网络用户规模的急剧膨胀、宽带用户业务需求日益迫切以及人们对用户服务质量(QOS)要求的不断提高,网络的宽带化和高速化建设势在必行。在宽带化和高速化网络中.网络路由节点必须由高性能路由器来承担,路由器的高性能主要体现在用户数据的处理容量大和处理速度快.以及协议的处理能力强三个方面。本结合作在高性能路由器方面的相关研究成果和科研项目的实际开发经验,比较全面地总结了高性能路由器的技术体系、关键问题和可能的发展趋势。  相似文献
5.
高性能70nm CMOS器件   总被引:5,自引:5,他引:0  
徐秋霞  钱鹤 《半导体学报》2001,11(2):134-139
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件。为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力,采用了一些新的关键工艺技术,包括3nm的氮化栅氧化介质,多晶硅双栅电极,采用重离子注入的超阱倒掺杂沟道剖面,锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区,以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等。CMOS器件的最短的栅长(即多晶硅栅条宽度)只有70nm,其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA/um;而PMOS阈值电压、跨导和有关电流分别为-0.3V、340mS/mm和0.2nA/um。并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器,其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级。  相似文献
6.
实现了一种10位2.5MS/s逐次逼近A/D转换器。在电路设计上采用了R-C混合结构D/A转换、伪差分比较结构以及低功耗电平转换方式实现。为了实现好的匹配性能,在版图布局上分别采用电阻梯伪电阻包围对策以及电容阵列共中心对称布局方式进行布局。整个A/D转换器基于90nm CMOS工艺实现,在3.3V模拟电源电压以及1.0V数字电源电压下,测得的DNL和INL分别为0.36LSB和0.69LSB。在采样频率为2.5MS/s,输入频率为1.2MHz时,测得的SFDR和ENOB分别为72.86dB和9.43bits。包括输出驱动在内,测得整个转换器的功耗为6.62mW。整个转换器的面积约为238um×214um。设计结果显示该转换器性能良好,非常适合多电源嵌入式SoC的应用。  相似文献
7.
限流用BaTiO_3系PTC陶瓷的制备及影响因素   总被引:3,自引:1,他引:2  
介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。  相似文献
8.
PLC与人机界面及变频器在机床控制中的综合应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
简立明 《现代电子技术》2004,27(19):73-75,77
设计和实现了利用Modicon Tsx Micro系列PLC和XBT F02 4110彩色键盘终端(人机界面)及KVFC系列变频器构成的高性能机床电气控制系统。详细论述了系统的构成及控制实现方法。  相似文献
9.
微型全固态0.53μm绿光激光器的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
霍玉晶  何淑芳 《光电子.激光》2000,11(3):227-228,234
研究成微型全固态绿激光器。用独特的整体探温技术,并把全部元件全部元件固化为一个整体,从而提高敢器件效率、激光输出功率和光束指向稳定性,全部采用国产元件以降低器件成本。用1W国产半导体激光器得到195mW和0.53μm绿激光稳定输出。该器件体积小,效率高,利用方便。  相似文献
10.
一种宽带低噪声放大器的设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
随着无线通信的迅猛发展,提高了对射频技术的要求。本文就射频前端的低噪声放大器设计进行研究和分析,并且进行了流片生产和测试。首先进行了基础理路的研究分析,通过仿真电路满足性能,最后再通过流片测试得到结论。本文中对其带宽以及噪声系数进行了测试并且与预期效果很接近。通过本文设计得到了带宽为近1.5GHz,其增益的大小为23.2dB。  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号