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1.
980 nm高功率垂直腔面发射激光器   总被引:14,自引:6,他引:8  
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。  相似文献
2.
HC  Liu 《半导体学报》2001,22(5):529-537
IntroductionThe physics and applications of quantumwell infrared photodetectors ( QWIP) based onGa As/Al Ga As materials are well established.Thermal infrared( IR) imaging is the main existingapplication of QWIPs fabricated into focal plane...  相似文献
3.
垂直腔面发射激光器制作新工艺   总被引:10,自引:7,他引:3  
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃~80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6 mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06 nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mW。  相似文献
4.
64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制   总被引:9,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% ,并应用研制成的器件获得了室温物体的热像图  相似文献
5.
实时全息干涉计量术的发展近况和趋势   总被引:8,自引:2,他引:6  
本文综述了实时全息干涉计量术的发展近况。介绍了实时全息干涉计量术的某些新方法,新装置及其所依据的原理并论述其发展趋势。  相似文献
6.
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
潘炜  张晓霞 《量子电子学报》1999,16(4):324-328,337
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了V  相似文献
7.
柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质   总被引:8,自引:1,他引:7       下载免费PDF全文
赵翠兰  丁朝华  肖景林 《半导体学报》2005,26(10):1925-1928
应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质. 对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小而增加,且柱高愈小,增加速度愈快;激发态能量随温度的升高而增加. 这些结论说明,由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.  相似文献
8.
128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列. 77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81e7V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28e10cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率为1.22%.  相似文献
9.
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器   总被引:6,自引:2,他引:4       下载免费PDF全文
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30 μm,像元光敏面28 μm×28 μm,两像元间距2 μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm·Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。  相似文献
10.
光子晶体多量子阱中的谱线分裂   总被引:6,自引:1,他引:5  
用时域有限差分法研究了一维光子晶体多量子阱中的谱线分裂现象,揭示了光子隧穿多量子阱时谱线分裂的规律性.研究发现,谱线分裂是阱间相互耦合的结果,其特征不仅取决于势阱的个数,而且与垒区和阱区的几何参量密切相关.计算结果表明,对称多量子阱结构中,光子隧穿p个势阱时,单阱对应的每条透射谱线会分裂为p条,各分裂谱线互不交叠.这样在有限的禁带区域可以成倍增加光子束缚态,使信道密度最大化,光波有效带宽的使用最优化,有望在光通信超密集波分复用和光学精密测量中获得广泛应用.  相似文献
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