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1.
激光防护技术新进展   总被引:16,自引:0,他引:16  
查子忠  王骐 《激光技术》1997,21(4):246-250
较全面地了激光防护的必要性、任务、要求和最新进展。  相似文献
2.
用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究   总被引:15,自引:0,他引:15       下载免费PDF全文
报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps.  相似文献
3.
激光淬火及熔覆层性能与物相变化的拉曼光谱研究   总被引:14,自引:8,他引:6  
梁二军  梁会琴 《中国激光》2006,33(1):20-123
利用拉曼光谱研究了45#钢激光淬火层的抗氧化性能和碳在淬火层内的状态,同时研究了镍基合金激光熔覆层内碳的结构形态转变和抗氧化性能。研究结果表明,45#钢中的碳主要表现为纳米非晶石墨和类金刚石结构,激光淬火可以明显提高45#钢表面的抗氧化性能并使碳颗粒细化。随着测试激光功率的增大,激光淬火层表面和次表面的拉曼光谱保持不变,而激光淬火层内部和基体的拉曼光谱发生非常明显的变化,出现了很强的-αFe2O3的拉曼信号。这表明45#钢激光淬火层的表面具有非常优异的高温抗氧化性能。发现在激光熔覆Ni02合金层与基体的接合部非晶碳可以转化为金刚石结构。熔池底部高的温度梯度和快速凝固过程中在界面处产生巨大的瞬间压力,可能是在该区域内非晶碳直接转化为金刚石的主要原因。  相似文献
4.
外加电场和磁场对太赫兹辐射产生的影响   总被引:11,自引:6,他引:5  
通过对半导体太赫兹发射极在有和没有外加电场和磁场作用下发射光谱的测量。说明了外加电场和磁场对太赫兹电磁辐射的产生具有增强作用。采用反射式发射极在飞秒激光作用下辐射太赫兹脉冲的装置,同时利用电光取样方法探测太赫兹电场,得到了这些发射极的时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换(FFT)得到了相应的频域光谱。实验表明,太赫兹时域发射光谱和频谱在外加电场、磁场作用下都有增强,但是所发射的频率成分和带宽都没有改变。借助于经典电磁理论的定性分析,认为太赫兹发射光谱在外加电场、磁场作用下的增强起源于半导体中载流子的加速运动受外加电场和磁场的影响。  相似文献
5.
基于光学方法的太赫兹辐射源   总被引:10,自引:0,他引:10  
孙博  姚建铨 《中国激光》2006,33(10):349-1359
太赫兹波技术在物理、化学、生命科学等基础研究学科,以及医学成像、安全检查、产品检测、空间通信、武器制导等应用学科都具有重要的研究价值和应用前景,而太赫兹辐射源正是太赫兹技术发展的关键部分。概述了基于光学方法产生太赫兹辐射的几种常用方法,着重叙述了利用非线性光学差频技术和基于横向晶格振动光学模受激电磁耦子散射过程的太赫兹参量振荡技术工作原理,以及目前的研究状况,并对这两种方法产生太赫兹波辐射源未来的发展方向进行了展望。  相似文献
6.
纳米VO2薄膜的制备及其可见光透过率的改善   总被引:10,自引:2,他引:8       下载免费PDF全文
阐述了一种纳米VO2薄膜材料新型结构的制备方法.先用反应离子束溅射和退火工艺在玻璃基底上制备出具有相变特性的薄膜.HRTEM及XRD显示这种薄膜含有纳米量级的VO2颗粒,四探针测试电阻温度关系表明该类材料相变温度已经靠近室温,变化温度下测得的红外透过曲线表明该材料在相变前后具有良好的红外光开关特性.再针对该薄膜材料较低的可见光透过率,提出S iO2减反膜设计,取得了较好的实验效果.为开展VO2薄膜材料在智能窗类光电产品的应用研究打下了基础.  相似文献
7.
钛酸铋钠系陶瓷的介电热滞现象   总被引:9,自引:1,他引:8  
测量了(Na0.5Bi0.5)TiO3和(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷从20-500℃的介电温谱。发现(Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷在150-350℃和(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷在30-300℃的热滞现象。作者认为此热滞现象是该类材料发生缓慢相变过程的外在表现,对于(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷直至室温附近的热滞现象,与其常温下处于三角-四方准同型相界(MPB)附近有关,而且这一热滞的存在必然影响(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷谐振频率等有关压电性温度稳定性。  相似文献
8.
氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究   总被引:9,自引:2,他引:7  
王宏臣  易新建  陈四海  黄光  李雄伟 《中国激光》2003,30(12):1107-1110
采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。  相似文献
9.
太赫兹辐射产生技术进展   总被引:9,自引:4,他引:5  
分别就光学技术和电子学技术产生太赫兹波的方法,介绍其产生原理、研发现状和最新进展,重点介绍了光电导、光整流、参量振荡器和太赫兹量子级联激光器.  相似文献
10.
含三氟乙氧基的二苯乙炔类液晶的合成和相变研究   总被引:8,自引:6,他引:2  
设计并合成了4个系列的新型含三氟乙氧基羰基的基芳香环上含氟或不含氟原子取代的二苯乙炔类液晶化合物,其相变行为通过偏光显微镜和差热分析进行了测试和观察,发现目标化合物都呈现很宽的近晶A相,当另一侧的碳氢链较短时,还有较窄的向列相存在,芳香环上引入的氟原子在有利于向列相的同时压缩了近晶相。  相似文献
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