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1.
大功率半导体激光器驱动器的研究与设计   总被引:21,自引:0,他引:21  
邓军  单江东  张娜  田小建 《半导体光电》2003,24(5):319-320,370
介绍了大功率半导体激光器恒流源的设计方法。该恒流源采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流。实际应用表明该恒流源对激光器安全可靠,输出电流的短期稳定度达到1×10-5。  相似文献
2.
激光超高温度梯度快速定向凝固研究   总被引:16,自引:0,他引:16  
研究了激光重熔工艺参数对三种不同成分的Cu Mn合金重熔区微观组织生长方向的影响。结果表明 ,熔池中微观组织的生长方向强烈地受激光工艺参数 (激光输出功率和扫描速度 )和合金成分的影响。通过选择合适的工艺参数 ,实现了与Bridgman法类似的超高温度梯度快速定向凝固 ,其温度梯度可高达 10 6 K m ,速度可高达 2 4mm s。利用激光表面熔凝技术实现超高温度梯度快速定向凝固的关键在于 :1)在激光熔池内获得与激光扫描速度方向一致的温度梯度 ;2 )根据合金凝固特性选择适当的激光工艺参数以获得胞晶组织。  相似文献
3.
980 nm高功率垂直腔面发射激光器   总被引:14,自引:6,他引:8  
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。  相似文献
4.
半导体激光器输出波长随工作电流变化的实验研究   总被引:14,自引:2,他引:12  
以2W连续红外(980nm)半导体激光器(InGaAs)和120mW连续红外(980nm,带制冷器与尾纤)半导体激光器(InGaAsP)为例,测量激光器输出光束的波长随工作电流变化的规律。实验结果表明:工作电流增加,光束波长向长波红移,斜率分别近似为0.374nm/100mA、0.220nm/10mA;工作电流大时的红移现象比电流小时明显。  相似文献
5.
国内大功率半导体激光器研究及应用现状   总被引:14,自引:4,他引:10       下载免费PDF全文
近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。  相似文献
6.
DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制   总被引:12,自引:0,他引:12  
潘炜  张晓霞  罗斌  邓果  李孝峰 《通信学报》2004,25(9):169-174
以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)为例,选择自发辐射因子为控制参数,数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性,实现了类似于边缘发射激光器的分岔,周期加倍分岔,多稳和混沌状态的稳定控制,得到分岔点位置和周期轨道与控制参数的变化关系,以及相应地调制参量和自发辐射因子的取值范围,计算结果较好地拟合了文献实验结果。  相似文献
7.
半导体激光器稳功率脉冲电源设计   总被引:12,自引:0,他引:12  
刘澄 《半导体光电》2004,25(3):235-237
根据半导体激光器的温度-驱动电流-光功率特性,通过脉冲驱动技术、功率控制技术和抗浪涌技术的综合应用,设计、制作了一种实用的半导体激光器脉冲驱动电源,解决了半导体激光器应用中常见的浪涌冲击问题和宽温度范围内脉冲驱动时的发光功率同步控制难题.  相似文献
8.
激光熔覆高温合金及其应用   总被引:11,自引:2,他引:9  
杨永强  田乃良 《中国激光》1995,22(8):632-636
高温工模具的失效方式主要为工作面的热磨损和氧化热疲劳。针对这一特点,选用镍基高温合金+WC和MCrAIY合金(M=Ni,Co)+WC进行激光熔覆试验,并对激光熔覆层进行组织性能测试。结果表明,镍基高温合金+WC有较高的热强性,而MCrAIY+WC则有较佳的抗氧化性。将两类合金激光熔覆层应用于无缝钢管顶头上提高使用寿命1~4倍。其中以MCrAIY合金+10%WC激光熔覆顶头寿命最长。  相似文献
9.
双半圆柱透镜准直半导体激光光束   总被引:11,自引:5,他引:6  
马华  曾晓东  安毓英 《中国激光》2006,33(7):37-940
柱透镜被广泛运用于准直半导体激光光束,而普通圆柱透镜准直能力并不高,为了克服这一不足,提出一种新的柱透镜结构:双半圆柱透镜(DHCL);基于光线传输理论导出该结构柱透镜准直激光光束的基本公式并给出数值模拟的结果。理论分析和数值模拟均表明:在用于准直半导体激光器输出光束方面,双半圆柱透镜突破了普通圆柱透镜在最佳准直时对透镜材料折射率的限制,提高了结构设计和材料选择的灵活性;特别是在高折射率条件下,双半圆柱透镜对光束的准直能力远远超过了普通圆柱透镜。理论上可以将半导体激光光束快轴方向发散角压缩到0.1 mrad的量级。  相似文献
10.
光纤光栅外腔半导体激光器的实验研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
利用光纤光栅作为选频元件的外腔半导体激光器具有波长稳定性和可控性好等优点。报道了该激光器的关键工艺 ,主要是光纤光栅制备、芯片的腔面增透和光纤耦合封装等。报道了初步的实验结果。  相似文献
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