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1.
红外焦平面CMOS单元读出电路   总被引:18,自引:1,他引:17  
研制出一种 C M O S 差分放大器组成的电容反馈互导放大器( C T I A) 型红外焦平面读出电路,其输出端带有相关双取样( C D S) 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表明,在77 K 下,读出电路的动态范围为66 d B,功耗典型值为0 .53 毫瓦/ 位  相似文献
2.
CCD与CMOS图像传感器特点比较   总被引:15,自引:0,他引:15  
熊平 《半导体光电》2004,25(1):1-4,42
简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局.  相似文献
3.
一种高性能CMOS带隙电压基准源设计   总被引:15,自引:2,他引:13       下载免费PDF全文
采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0~ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm.  相似文献
4.
CMOS图像传感器发展现状   总被引:14,自引:3,他引:11  
文章主要介绍了CMOS图像传感器的结构、单元电路、发展背景及其发展现状。  相似文献
5.
红外焦平面阵列读出电路技术分析   总被引:14,自引:7,他引:7  
方丹 《红外技术》2004,26(2):23-28
从红外焦平面技术的发展背景出发,论述了读出电路在红外焦平面信号传输中的作用;讨论了用于实现红外焦平面阵列读出电路的一些实施技术;并对各种实现技术进行了分析比较;最后提出了红外焦平面阵列读出电路今后的研究方向。  相似文献
6.
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源   总被引:12,自引:5,他引:7  
汪宁  魏同立 《微电子学》2004,34(3):330-333
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。  相似文献
7.
CMOS图像传感器及应用   总被引:12,自引:0,他引:12  
程开富 《半导体光电》2000,21(Z1):25-28
CMOS图像传感器是多功能、高性能的摄像器件。本文详细介绍了其工作原理及其在微型摄像机、数码相机、PC多媒体等中的应用。  相似文献
8.
与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计   总被引:11,自引:9,他引:2       下载免费PDF全文
用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm COMS工艺制做了该探测器 ,实际测试了该器件的频率响应和波长响应 ,探测器频率响应在 1GHz以上 ,峰值波长响应在 0 .6 9μm.  相似文献
9.
2.9GHz 0.35μm CMOS低噪声放大器   总被引:11,自引:0,他引:11  
陶蕤  王志功  谢婷婷  陈海涛 《电子学报》2001,29(11):1530-1532
随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50Hz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能,越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0.35μmCMOS工艺实现的2.9GHz单片低噪声放大器,放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成。在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB.  相似文献
10.
CMOS集成电路的功耗优化和低功耗设计技术   总被引:11,自引:4,他引:7  
钟涛  王豪才 《微电子学》2000,30(2):106-112
总结了当前已发展出的各个层次的CMOS低功耗设计技术和低功耗设计方法学的研究进展.重点介绍了时序电路的优化、异步设计、高层次电路设计和优化技术.  相似文献
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