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1.
吴敬东 《湖南工业职业技术学院学报》2015,(2):137-140
高校是培养人才的摇篮,肩负着科教兴国、人才强国两大历史性战略任务。由于社会环境的复杂化,人际关系的交错性,新时代的大学生行为状况给高校学生管理工作带来了新的挑战。针对新时期大学生行为特点,我们通过加强党建工作、强化学风建设、做好班级自主管理和深化社会服务四个方面工作进行分析,提出了全面引导、约束、规范和优化大学生的行为的建议和对策,从而有效解决新形势下普通高校学生管理工作的实际困难。 相似文献
2.
3.
为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4%,11.3%,10.4%和11.6%. 相似文献
4.
For the first time, we present the unique features exhibited by power 4H–SiC UMOSFET in which N and P type columns (NPC) in the drift region are incorporated to improve the breakdown voltage, the specific on-resistance, and the total lateral cell pitch. The P-type column creates a potential barrier in the drift region of the proposed structure for increasing the breakdown voltage and the N-type column reduces the specific on-resistance. Also, the JFET effects reduce and so the total lateral cell pitch will decrease. In the NPC-UMOSFET, the electric field crowding reduces due to the created potential barrier by the NPC regions and causes more uniform electric field distribution in the structure. Using two dimensional simulations, the breakdown voltage and the specific on-resistance of the proposed structure are investigated for the columns parameters in comparison with a conventional UMOSFET (C-UMOSFET) and an accumulation layer UMOSFET (AL-UMOSFET) structures. For the NPC-UMOSFET with 10 µm drift region length the maximum breakdown voltage of 1274 V is obtained, while at the same drift region length, the maximum breakdown voltages of the C-UMOSFET and the AL-UMOSFET structures are 534 and 703 V, respectively. Moreover, the proposed structure exhibits a superior specific on-resistance (Ron,sp) of 2 mΩ cm2, which shows that the on-resistance of the optimized NPC-UMOSFET are decreased by 56% and 58% in comparison with the C-UMOSFET and the AL-UMOSFET, respectively. 相似文献
5.
6.
《Microelectronics Journal》2015,46(11):1012-1019
This paper presents a voltage reference generator architecture and two different realizations of it that have been fabricated within a standard 0.18 μm CMOS technology. The architecture takes the advantage of utilizing a sampled-data amplifier (SDA) to optimize the power consumption. The circuits achieve output voltages on the order of 190 mV with temperature coefficients of 43 ppm/°C and 52.5 ppm/°C over the temperature range of 0 to 120°C without any trimming with a 0.8 V single supply. The power consumptions of the circuits are less then 500 nW while occupying an area of 0.2 mm2 and 0.08 mm2, respectively. 相似文献
7.
8.
The microstructural aspects of compressive inelastic deformation in balsa wood are investigated with emphasis on the failure mode transition and its effects on energy dissipation characteristics. The architectural features as well as the composite character of cell wall ultrastructure are discussed in a framework to understand the complex interrelationship between microstructure and macroscopic behavior in this extremely lightweight cellular biocomposite. Based on this discussion and experimental results, it is concluded that the biomimetic approach may prove to be a viable strategy in designing composite structures with high specific energy absorption capacity. 相似文献
9.
浅谈如何有效学习计算机软件知识 总被引:1,自引:0,他引:1
黄霞 《湖南工业职业技术学院学报》2003,3(2):79-80
计算机软件知识的学习并不是完全线性的,而是不断循环往复、迭代的过程。本对如何深入、广泛、有效地学习计算机软件知识做出了一些探讨。 相似文献
10.
介绍了医用红宝石激光器触摸屏控制系统的基本结构,分析了医用红宝石激光器中主要电磁干扰(EMI)的产生机制,提出了具体的电磁兼容(EMC)技术措施并得到实验验证。 相似文献