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本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度 相似文献
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退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射 仪和原子力显微镜,检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示:沉积态TiO2薄膜为非晶态;低温(700℃以下)退火后,TiO2薄膜出现锐钛矿相,晶粒长大不明显;高温退火(900℃以上)后,薄膜转变为金红石相,晶粒由柱状转变为棱状,并迅速长大至微米量级。 相似文献
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热丝CVD金刚石薄膜制备及碳纳米管形核作用的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用热丝化学气相沉积法(HF-CVD)进行了金刚石薄膜制备和碳纳米管形核作用的研究。获得了制备金刚石薄膜的优化工艺参数。利用碳纳米管作为形核前驱获得了高质量的金刚石薄膜,其沉积速率可达2.5μm/h,晶粒生长完善,而且没有出现聚晶现象。研究了碳纳米管涂料质量对薄膜沉积特性的影响,并对其机理进行了初步探讨。 相似文献
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利用中频交流磁控溅射设备用金属Ti靶制备出了TiO2 薄膜。用椭偏仪测试了TiO2 薄膜的厚度和折射率 ,用俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外及可见光分光光度计分别测试了TiO2 薄膜的表面成分、表面形貌、晶体结构及其紫外及可见光透射谱 ,并初步探讨了工艺因素对薄膜性质的影响。实验结果表明 :所制备的氧化钛薄膜O/Ti比符合化学计量比 ,而且O/Ti比随O2 流量的变化不大 ;TiO2 薄膜结构主要为锐钛矿型 ;薄膜表面致密 ;TiO2 薄膜光学性能较好 ,透射比较高 ;但O2 流量较低时透射比明显下降。 相似文献
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TiO2薄膜溅射工艺参数对其光催化性能的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2薄膜光催化剂,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响.采用动态反应系统,紫外光源为TUV,降解对象为0.02 mmol/L亚甲基蓝溶液.结果发现:Ar/O2混合反应溅射在O2分压大于9%之后亦可制备出光催化能力与纯O2溅射相近的TiO2薄膜.TiO2薄膜厚度是影响其光催化降解能力的最敏感因素,800 nm以下TiO2薄膜降解能力基本与厚度成正比.TiO2薄膜在黑暗环境下长期放置,光催化性能会出现一定下降,但紫外光预照射可以使其有效恢复. 相似文献
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TiO2复合薄膜光生亲水及防结雾性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用中频交流磁控溅射技术制备了TiO2薄膜、Ag/TiO2复合薄膜和TiO2:MoO3复合薄膜,研究了TiO2薄膜的光生亲水性和防结雾特性,讨论Ag及MoO3对TiO2薄膜光生亲水性的影响.发现:制备的TiO2薄膜有良好的光生亲水性和防结雾效果,同时薄膜越厚其光生亲水性越明显.800 nm的TiO2薄膜在TUV辐照3 min后其接触角可下降至2°以下.Ag/TiO2复合薄膜是一种接触角在较大范围内可变的薄膜材料,紫外辐射可使其接触角在120°到0°间调节.而TiO2:MoO3复合薄膜的光生亲水性则远比TiO2薄膜差. 相似文献
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退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2 薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射仪和原子力显微镜 ,检测了TiO2 薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示 :沉积态TiO2 薄膜为非晶态 ;低温 (70 0℃以下 )退火后 ,TiO2 薄膜出现锐钛矿相 ,晶粒长大不明显 ;高温退火 (90 0℃以上 )后 ,薄膜转变为金红石相 ,晶粒由柱状转变为棱状 ,并迅速长大至微米量级 相似文献
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本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽(Ta205)薄膜,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量,椭偏仪测试了Ta205薄膜的厚度和折射率,XRD分析了薄膜的晶体结构,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属—绝缘体(介质膜)—金属(MIM)结构初步对Ta2O5薄膜进行了电学性能的测试:皮安电流电压源测试了薄膜的I—U特性,制备出的薄膜折射率在2.1-2.2,MIM的I—U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度。 相似文献