排序方式: 共有21条查询结果,搜索用时 93 毫秒
1.
2.
3.
通过固相合成法制备(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3(x=0.02,0.06)(BNT-BT)无铅压电陶瓷.通过SEM、XRD等手段对粉体合成过程进行了分析与表征,并利用HP4294网络分析仪、d33准静态测试仪等对固相合成法制备的BNT-BT进行了相关性能研究.粉体的预烧温度为950℃,BNT-BT陶瓷的烧结温度为1150℃。结果表明当x=0.02时,密度为6.01g/cm^3,达到理论密度的99%.d33=122×10^-12C/N. 相似文献
4.
采用铌铁矿预产物合成法制备La掺杂Pb(1-x)Lax(Mg1/3 Nb2/3)0.75Ti0.25O3(0.75PMN-0.25PT-xLa,x=0、0.01、0.015、0.02)铁电陶瓷,并研究了不同含量La掺杂对PMN—PT的微观结构及其性能的影响.结果表明,所有陶瓷样品均为纯钙钛矿结构,没有其他任何杂相,而且随La含量的增加,材料相结构逐渐由三方相向四方相转变.当La掺杂量为0.015时,0.75PMN-0.25 PT-xLa陶瓷出现三方和四方相共存现象,即出现了准同型相界(MPB),使得0.75PMN-0.25PT-xLa陶瓷的电学性能得到了较大的提高,压电常数d33~ 360 pC/N,介电常数εr~6000.La掺杂量达到0.02时,材料的相结构已全部转化为四方相,提高了晶体的对称性,为制备La掺杂0.75PMN-0.25PT电光透明陶瓷提供了依据. 相似文献
5.
6.
7.
8.
用传统固相反应法研究了添加Bi2WO6(x=0%~9%,质量分数)对ZnO基压敏陶瓷的微观结构、压敏性能和介电性能的影响。结果表明:掺入适量的Bi2WO6能促进ZnO压敏陶瓷晶粒均匀生长、提高微观结构的均匀性、降低压敏场强和提高非线性系数;同时,Bi2WO6的添加可提高ZnO晶粒表面吸附氧的含量,从而提高界面态密度和势垒高度以及ZnO基压敏陶瓷的非线性特性。Bi2WO6的添加量为7%的ZnO基压敏陶瓷,其综合性能为:E1 mA=263 V/mm,α=53,JL=3.50 μA/cm2,φb=11.52 eV。 相似文献
9.
用固相合成法制备Mn掺杂改性的CaBi4Ti4O15(CBT)高温无铅压电陶瓷。分析表明,利用固相合成法制备Mn掺杂CBT的温度为850℃,制备Mn掺杂改性CBT陶瓷的烧结温度随锰含量的增加降低,压电常数影响不大。 相似文献
10.
将柠檬酸法与固相合成法有效结合,制备出钙钛矿结构的(K1/2Na1/2)NbO3(KNN)无铅压电陶瓷.分析表明,利用柠檬酸法合成铌酸钾钠粉体较为适宜的温度为550℃;制备铌酸钾钠无铅压电陶瓷的较好温度为1100℃,其居里温度为415℃,压电常数为58×10^-12C/N. 相似文献