石英纤维增强聚酰亚胺树脂基复合材料的疲劳特性

石英纤维增强聚酰亚胺树脂基复合材料具有比强度高、比刚度大、结构可设计性等很多优点,将在武器装备结构件领域广泛应用。对石英纤维增强聚酰亚胺树脂基复合材料的室温及高温拉伸性能进行了研究;对石英纤维增强聚酰亚胺树脂基复合材料的室温及高温拉-拉疲劳特性进行了研究。结果表明,复合材料的拉伸强度及弹性模量随着测试温度的升高而降低,并且在300℃时保留率分别是68%和80%。在相同应力水平下,复合材料的室温疲劳寿命比高温疲劳寿命高。在高温下,由于树脂软化,复合材料的经纱裂纹减缓。通过疲劳断裂的断口形貌和疲劳寿命变化,对复合材料损伤机制进行评估。     

溅射气压对直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的影响(英文)

采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO:Al(AZO)薄膜,溅射气压为0.2～2.2 Pa.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和紫外–可见分光光度计对AZO薄膜的相结构、微观形貌和电光学性质进行了表征.结果表明:薄膜的沉积速率随着溅射气压的增大而减小,变化曲线符合Keller-Simmons模型;薄膜均为六角纤锌矿结构,但择优取向随着溅射气压发生改变;溅射气压对薄膜的表面形貌有显著影响;当溅射气压为1.4 Pa时,薄膜有最低的电阻率(8.4×104 Ω·cm),高的透过率和最高的品质因子Q.     

铁酸镧掺杂对铌酸钾钠基陶瓷介电和铁电性能的影响(英文)

用传统固相反应法制备了(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)和0.98(K0.5Na0.5)NbO3-0.02LaFeO3(0.98KNN-0.02LF)无铅陶瓷,并对其介电、铁电性质以及相结构进行了研究.KNN陶瓷是正交相,0.98KNN-0.02LF陶瓷是伪立方相结构.介电研究表明:0.98KNN-0.02LF陶瓷的介温曲线与KNN陶瓷相比较出现两点异常:(i)正交相–四方相相变温度(TO-T)和四方相–立方相相变温度(TT-C)均降低;(ii)最高介电常数温度Tm附近的相变温度宽化.并且,0.98KNN-0.02LF陶瓷在0～400℃内显示了相对比较平坦的介电常数,介电常数达到2000,介电损耗低于4%.电滞回线变"窄"进一步证明了0.98KNN-0.02LF陶瓷的弛豫性.     

磁控溅射Ni/Au/Pt多层膜红外发射率特征研究

研究了表面镀Ni/Au/Pt多层膜的K424合金在热处理前后红外发射率的变化及变化机理。XRD分析结果表明,在热处理后,试样表面主要由 Au0.7Cr0.3和Pt组成,说明合金基体元素在600 ℃下会向外扩散。SEM分析表明,粗糙表面镀金膜的试样在热处理后,表面薄膜产生了细小的裂痕,但在表面没有探测到氧化物。而抛光表面镀金膜的试样,其表面薄膜十分完整。通过SR5000光谱辐射计量仪测量合金的红外发射率,结果表明,合金的表面状态和热处理对红外发射率均有较大影响     

铁铬铝网栅吸波性能的研究

采用涂覆法制备了FeCrAl金属网栅吸波材料。研究了FeCrAl丝的不同丝长度、不同丝间距排布对2～18GHz范围内吸波性能的影响规律。研究表明,连续FeCrAl丝网栅材料不具备吸波性能;随FeCrAl丝长度的减小,材料最大吸收峰向高频方向移动,且最大吸收峰绝对值也随丝长度的减小而增大;随FeCrAl丝间距的减小,最大吸收峰向低频方向移动,且最大吸收峰绝对值也随丝间距的减小而增大。     

短切碳纤维含量对Csf/Al2O3复合材料性能的影响

采用热压烧结法制备了短切碳纤维-氧化铝(Csf/Al2O3)复合材料,研究了短切碳纤维含量对该复合材料维氏硬度、抗弯强度及微波介电性能的影响.结果表明,热压烧结可以获得高致密度、高硬度的Csf/Al2O3复合材料.碳纤维的加入降低了氧化铝基体的抗弯强度,但随着碳纤维含量的增加,抗弯强度有增大的趋势,Csf/Al2O3复合材料复介电常数的实部与虚部也显著提高.     

短切SiCf/LAS复合材料的显微结构与介电性能

采用热压烧结法制备出致密的短切SiC_f增强LAS玻璃陶瓷复合材料,并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8～12 GHz之间,复合材料复介电常数实部ε′由基体的7.6上升到10～100,虚部ε″由基体的0.34上升到40～160,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1～20,并具有明显的频散效应.随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料ε′增大,ε″与tgδ减小.此外,断口形貌的SEM观察表明,随保温时间的延长或热压压力的提高,复合材料界面层变厚.     

Si/C/N纳米粉体的吸波特性研究

采用XRD研究了氮原子百分含量为11．61％的Si/C/N纳米粉体的相组成，并测定了测粉体介电常数根据介电常数，分别优化调离了单层和双层的吸波涂层，设计的吸波涂层对8－18GHz范围的电磁波有较好的吸收作用，设计厚度为2．7mm的单层吸波涂层，在8－5GHz范围内反射率＜－5dB，设计厚度为2．8mm的双层吸波涂层，在8－18GHz频率范围内电磁波的反射率均＜－5dB，反射率＜－8dB的频带为6GHz，针对纳米粉体的吸波特性，提出了Si/C/N纳米粉体的吸波机理。     

富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能

以硅粉和炭黑为原料,利用燃烧合成法,在0.1MPa 的N_2气氛下合成了β-SiC粉体.对其进行拉曼光谱和SEM表征,结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷C_(si)和石墨态sp~2C的富C β-SiC固溶体.添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10%时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒,粒径约为0.2μm,随着PTFE添加量的增加,SiC粉体颗粒的平均粒径增大.在8.2～12.4 GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试,发现15%PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ,对其微波损耗机理进行了讨论.     

PNW对PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。