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1.
用原子力显微镜观察溶胶-凝胶法制备Al掺杂znO薄膜的表面形貌,运用多重分形理论研究Al掺杂ZnO薄膜的原子力显微图像,多重分形谱可以很好地定量表征薄膜的表面形貌.结果显示:Al掺杂量为0.5 at.%的ZnO薄膜经550℃退火处理后,rms粗糙度为1.817,Al掺杂量为1.0 at.%的ZnO薄膜经600℃退火处理后,rms粗糙度增大到4.625,相应的分形谱宽△α从0.019增大到0.287,分形参数△f由-0.075变为0.124.  相似文献   
2.
构造了不同分形维数的Weierstrass-Mandelbrot(W-M)分形曲面,采用多重分形方法研究了W-M曲面表面高度的分布特征.结果表明,随着曲面分形维数的增加,多重分形谱的谱宽△α从0.082增大到0.215,说明曲面的起伏、粗糙程度随分形维数的增加不断增大,与方均根rms粗糙度σ的计算结果一致.分形谱的△f均>0,表明曲面上高度最大处数目多于高度最小处数目,曲面的峰位处比较平缓、圆润.  相似文献   
3.
用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7~1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2tim逐渐增大到14.5nnl。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在Ф≠30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgR薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。  相似文献   
4.
将真空蒸发沉积的Al膜 ,在一台高频等离子体辉光放电的装置中进行阳极氧化 ,得到了光学和电学性能稳定的Al2 O3 膜。Al膜表面氧化层结构是γ Al2 O3 ,在波长 30 0~ 70 0nm范围内折射率为 1 5 3~ 1 34。文章还对用不同方法制备的Al2 O3 膜的折射率的差异进行了讨论  相似文献   
5.
溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用光学相移法,对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度(200℃)下的应力变化进行了研究。研究表明:膜厚在103-228nm之间的平均应力和应力差的变化比较小,应力分布比较均匀。  相似文献   
6.
射频磁控溅射ZnO薄膜的微结构与光学特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了膜厚对ZnO薄膜微结构和光学性能的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅(111)和玻璃基片上制备了不同厚度的ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜和紫外可见光谱对薄膜进行了表征。结果表明薄膜结晶性能良好,在(002)晶面具有明显的c轴取向。随着薄膜厚度的增加,透射率下降,吸收边红移,禁带宽度逐渐减小。  相似文献   
7.
溅射超薄Ag膜中的晶格畸变   总被引:1,自引:0,他引:1  
用直流溅射法制备了厚度从11.9到189.0nm的超薄Ag膜。X射线衍射(XRD)分析表明:样品中的Ag均为面心立方多晶结构,粒径从6.3到14.5nm。通过晶格常数的计算发现:晶格畸变为收缩,且随着粒径的减小收缩率增加,最大值为1.1%。结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果,讨论了影响晶格畸变的主要因素。  相似文献   
8.
用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。  相似文献   
9.
10.
Ag-MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400~1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400~600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730~1250cm-1的吸收谱带;在200~800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220~800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340~580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(>51%).  相似文献   
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