纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究

采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95％Ar,5％H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大.     

原子层沉积制备VO_2薄膜及特性研究

原子层沉积(ALD)技术在制备薄膜时因具有厚度精确可控、三维均匀性好以及可以实现大面积成膜和低的成膜温度等优点而使其在各个领域受到广泛关注。本文采用ALD技术,以VO(acac)2和O2分别为钒源和氧源,使用不同的沉积温度(420~480℃)和退火条件(自然冷却、4和8h程序降温)在玻璃基底表面制备VO2薄膜。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射以及扫描电镜对薄膜的价态、结晶状况及表面微观形貌进行表征;通过四探针测试仪对所制备薄膜的半导体-金属相变特性进行了研究。实验结果表明:VO2薄膜相变特性与其微观结构和晶体取向有着直接关系。选择ALD脉冲时序为[10s-20s-20s-20s],循环周期数为300,在450℃沉积且采取自然冷却所制备的VO2薄膜结晶状态良好,相变前后薄膜方块电阻突变量大,具有良好的热致相变特性。因此,该ALD技术可以制备相变特性较好的VO2薄膜。     

钯/碳催化Suzuki偶联反应合成4,4-双戊基环己基联苯

报道了以 Pd/C为催化剂 ,在相转移催化剂十六烷基三甲基溴化铵的助催化作用下 ,通过 4 ( 4 戊基 )环己基苯取代硼酸与 4 ( 4 戊基 )环己基溴苯偶联反应合成了液晶化合物 4 ,4 双戊基环己基联苯 ,反应转化率 93% ,反式产物选择性为 85%。Pd/C经简单处理后可重复使用 5～ 6次 ,活性基本不变     

非晶合金镍系催化剂研究进展

综述了非晶合金催化剂（Ｎｉ-Ｐ、Ｎｉ-Ｂ）的制备、表征及其催化苯、硝基苯、烯烃等加氢反应性能研究。     

4-取代苯乙炔的简便制备方法

采用4-(4-丙基环己基)苯乙酮为原料,与Vilamerier试剂反应得到β-氯代丙烯醛衍生物,在碱性条件下消除一氧化碳和氯化氢得到4-(反式-4-丙基环己基)苯乙炔,两步反应的总收率为51.8%,色谱纯度达到97%.此法反应步骤少、反应条件温和、原料价廉易得、总成本低,适合规模化生产.     

4-乙基-1-苯基环己醇的催化氢解

在乙醇体系中,4 丙基 1 苯基环己醇在2MPa氢气压力下200℃反应8h,完全氢解且反式选择性高,得到71.7%的反式产物和22.3%的顺式产物。考察了温度等对氢解反应的影响,发现高温有利于反式产物的生成。     

含氟反式-1,4-二芳基环己烷类液晶化合物的合成

以4 苯基环己酮为起始原料,经Grignard反应,脱水,加氢,转型,Friedel Crafts反应,黄鸣龙还原等步骤,合成了一系列含氟反式 1,4 二芳基环己烷类液晶化合物,GC质量分数>99%,收率达16 0%～27 0%,较文献收率(<1%)有显著提高;该路线尤其适用于制备一系列不同烷基取代的衍生物;目标化合物经1HNMR、IR进行了结构鉴定,并通过差示扫描量热法(DSC)对其相变行为进行了测试。     

单酯基多环芳香酸的合成及热分析

以4-正丙基,4-正戊基取代的双环己基甲酸、联苯甲酸和环己基苯甲酸以及对羟基苯甲醛为原料,用一次酯化、一次氧化的方法(酯化氧化法),合成了4个单酯基芳香酸类化合物:4-〔4-(反-4-丙基环己基)苯酰氧基〕苯甲酸,4〔-反-4-(反-4-丙基环己基)环己酰氧基〕苯甲酸,4-〔反-4-(反-4-戊基环己基)环己酰氧基〕苯甲酸和4-〔4-(4-戊基苯基)苯酰氧基〕苯甲酸,总产率分别为74%,76%,72%和71%。产物结构用IR,MS,1HNMR及元素分析进行了表征,DSC及偏光显微镜测定表明,4个目标化合物具有热致液晶性。     

一步法烷基苯氯甲酰化反应的研究

烷基苯甲酰氯不但是农药、医药和染料的重要中间体,而且在液晶合成及生产中占据了十分重要的地位,研究烷基苯氯甲酰化反应,不但能简化烷基苯甲酸酯类液晶的生产步骤,而且能为苯环引入氰基开辟新径。 因此,我们以甲苯为模式化合物,在三氯化铝存在条件下,用草酰氯一步氯甲酰化芳环,成功地得到对甲基苯甲酰氯,产率75～80％,反应条件温和,后处理简单。     

VA-TFT用负介电各向异性液晶材料研究进展

综述了VA-TFT(垂直取向薄膜晶体管驱动)用负介电各向异性液晶的结构及性质.重点介绍了近年来开发出的一些具有大的介电各向异性、低黏度、高清亮点的新型液晶,如侧向氟取代萘环、茚环类,轴向氟代环己烷类,含多氟取代类液晶等.