Effect of Ge-GeO2 co-doping on non-ohmic behaviour of TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics

An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal Ge or/and GeO₂ on the TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃ varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V₂O₅ and Y₂O₃ are 0.5 mol%, respectively, co-doping with 0.3 mol% Ge and 0.9 mol% GeO₂ makes the highest α value (α = 12.8), the lowest breakdown voltage V_1mA (V_1mA = 15.8 V/mm) and the highest grain boundary barrier Φ_B (Φ_B = 1.48 eV), which is remarkably superior to the TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃ varistor ceramics undoped with Ge and GeO₂ and mono-doped with Ge or GeO₂. The TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃-Ge-GeO₂ ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties.     

Ge掺杂对TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷结构及性能的影响

TiO₂ 压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件, 本文研究了Ge掺杂对TiO₂-Nb₂O₅-CaCO₃压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压E_B的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO₂-Nb₂O₅-CaCO₃压敏陶瓷, 用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压E_B和漏电流J_L等电学性质, 并根据相关公式计算样品平均势垒高度。XRD、XPS、SEM和STEM分析表明, Ge掺杂显著改变TiO₂-Nb₂O₅ -CaCO₃压敏陶瓷微结构, 提高非线性系数α和减小压敏电压E_B。当施主Nb₂O₅和受主CaCO₃掺杂浓度分别为0.5mol%时, 掺杂1.0mol% Ge的压敏陶瓷获得了最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=10.6, E_B=8.7 V/mm), 明显优于不掺杂Ge的TiO₂-Nb₂O₅-CaCO₃压敏陶瓷。此外, Ge熔点较低, 作为烧结助剂可以降低陶瓷的烧结温度, TiO₂-Nb₂O₅-CaCO₃-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度是1300℃。     

太阳能电池银导电浆料的研究进展与展望

银导电浆料广泛用于太阳能电池的正极导电材料。导电浆料的质量影响太阳能电池的转换效率和稳定性。综述了国内外银电子浆料的最新研究进展,并重点介绍了平均粒径在1μm的球形银粉和低松比片状银粉的制备及对银导电浆料电性能的影响,无铅玻璃粉的制备及性能影响因素,以及具有层次挥发性的有机载体的制备现状及各组分对太阳能电池正面银浆料导电性能的影响。最后展望了银导电浆料的发展方向,并提出了制备高分散性的球形银粉的方法,指出了太阳能电池导电浆料用玻璃熔体和有机载体的性能要求和发展方向。     

TiO2晶型转变(A→R)的影响因素

二氧化钛作为一种应用极广泛的陶瓷材料,其晶型不同所拥有的性质和功能不同。对影响二氧化钛晶型转变的因素进行了综述,总结了烧结温度、掺杂、颗粒尺寸、压应力以及烧结气氛等对二氧化钛晶型转变的影响,对相变机理进行分析,并就TiO_2的A→R相变的应用前景进行展望。     

g-C3N4结构调控及其复合体系的研究进展

石墨相碳化氮（g-C₃N₄）因带隙窄、电子结构独特、稳定性高、廉易得等优点成为光催化领域的研究热点。然而,原始氮化碳往往存在比表面积小、光响应范围窄、电子-空穴易复合等缺点。特殊结构 g-C₃N₄具有多级结构,可以调节载流子迁移路径,是显著提高 g-C₃N₄比表面积、改善其电子结构,促进电荷分离的有效手段。本文综述了不同结构和形貌的 g-C₃N₄及其复合体系的研究进展,并对不同形貌 g-C₃N₄的构效关系进行了分析,展望了未来 g-C₃N₄的研究方向和应用前景。     

钢铁基体无氰镀铜工艺的研究进展

综述了钢铁基体表面焦磷酸盐体系、酸性硫酸盐体系、EDTA(乙二胺四乙酸)体系、HEDP(羟基乙叉二膦酸)体系等无氰镀铜工艺的研究进展，为今后的研究方向提出建议。