浅谈企业信息化现状及其发展趋势

基于对山西焦化集团企业信息化实际，从企业信息化硬件配置、软件应用等方面进行了详细调研，对信息化管理存在的问题进行了探讨，对企业信息化发展趋势进行了分析，并研究了新技术在企业信息化管理中得以应用的可行性。     

高能球磨FeCo+MnO的结构与磁性研究

用高能球磨采用两种方案制备了FeCo MnO体系,并用X射线衍射和振动样品磁强计对其结构和磁性质做了分析.发现采用直接氧化Mn而得到MnO的方法,所得体系的MnO较纯;而通过分解MnCO3得到MnO的体系,MnO纯度较低,有较多Mn3O4杂质,两种方法制备的FeCo MnO体系的矫顽力和剩磁比都比单纯FeCo体系的增加很多,且前一种方法比后一种方法制备的FeCo MnO体系的矫顽力和剩磁比较大.然后研究了球磨时间及退火处理对FeCo MnO体系矫顽力及剩磁比的影响,发现球磨时间为120h体系的矫顽力和剩磁比最大;经过退火处理后,体系的矫顽力和剩磁比都有较大幅度的增加.     

YBa_2Cu_（3－x）Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化；发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征；讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

磁场对Ni51.5Mn24Ga24.5单晶马氏体相变的影响

分析了Ni51.5Mn24Ga24.5单晶样品在不同磁场下的马氏体相变温度和热滞后温度,并基于相界摩擦理论计算了样品在不同磁场下马氏体相变过程中相界摩擦所产生的能耗(FHr).结果表明,对于不同磁场下相界推移所产生的能耗与实验观察到的热滞后温度变化规律基本一致,说明了相界摩擦理论较好地解释了Ni-Mn-Ga合金在外加磁场情况下相变过程中的热力学问题.     

长电缆线路雷电冲击过电压计算及绝缘配合

本文利用自编程序结合典型工程进行雷电冲击过电压计算,对影响过电压的各种因素进行较深入的分析研究,并总结出长电缆线路行波保护的一些特点,为电力部门提供绝缘配合设计的依据。     

镍锌铁氧体薄膜的显微结构和低温磁性质

通过溶胶凝胶甩膜工艺,在抛光的硅晶片(100)基底上制备出Ni0.5Zn0.5Fe2O4(NZF)薄膜并对其结构和磁性的测量结果进行了分析。薄膜表面平整,具有较好的单相结构,其颗粒平均粒径约30nm。制备的NZF薄膜厚度分别约90、120和180nm。实验结果表明,薄膜在低温下表现出自旋玻璃态行为。当外加磁场为7.96×103A/m时,NZF薄膜自旋冻结温度大约在Tf=140K,自旋冻结程度随薄膜厚度增加而降低。在40~300K之间,薄膜饱和磁化强度和矫顽力都随着温度增加而降低。NZF薄膜在T=40K处存在最大磁化强度。较薄薄膜在40K以下饱和磁化强度的降低是因为磁性颗粒表面自旋被部分冻结而导致的磁性离子相互间自旋耦合作用减弱的结果。     

光学浮区法生长高质量EuFeO3单晶

通过光学浮区法生长了直径约为6mm、长度约为45mm的高质量EuFeO3晶体。对所获得的晶体沿着生长方向进行切片并抛光,使用扫描电镜(SEM)观察不同切片表面的形貌,以了解晶体的生长过程,同时使用EDS能谱分析晶体成分,结果显示通过光学浮区法获得的EuFeO3晶体具有良好的成分一致性,铁元素与稀土铕元素物质的量比为1∶1。摇摆曲线结果显示晶体具有良好的结晶质量。对EuFeO3晶体进行磁性测量,发现EuFeO3晶体在不同方向上表现出强烈的磁各向异性,c轴方向上奇特的分步磁化现象可能是由于晶体内磁化难轴和易轴的改变所致。     

光学浮区法生长的GdFeO3单晶

正交钙钛矿结构GdFeO3材料是一种新型的磁光材料。采用光学浮区法生长磁光晶体GdFeO3,通过多次试验,生长出的晶体直径达到8mm,长度为50~80mm,晶体截面抛光后未发现明显的夹杂物等缺陷。测试结果证明光学浮区法是生长GdFeO3磁光晶体的有效方法。     

退火对高定向热解石墨的输运特性的影响

研究了退火对磁场诱导下高定向热解石墨(HOPG)输运特性的影响.结果表明,退火后HOPG的R-T曲线明显变得光滑,且退火后电阻率增大了近50%,相应温度下的磁电阻效应均减小约40%.分析认为,这是由于HOPG内部存在层错与所含杂质缺陷引起的.磁场下电阻率随温度的变化表明,外加磁场对低温下的金属导电行为存在抑制作用,随着外加磁场的增加,低温下的金属导电行为受到抑制,在H=5.57×104A/m时,低温下的绝缘体-金属转变(I-M)被完全抑制,呈半导体性质.随着磁场的继续增加,在磁场高于H=9.24×105A/m时再次出现绝缘体-金属转变,即再入型金属导电行为,且退火对这一转变过程没有影响,表明这种绝缘体-金属转变是由外加磁场诱导产生的.     

磁制冷材料Gd5Ge4中的磁玻璃态

Gd₅Ge₄低温时具有玻璃态的不稳定性,与钴氧化物La_0.88Sr_0.12CoO₃的冻结的自旋玻璃态不同. 通过分别研究经过零场冷过程后Gd₅Ge₄和La_0.88Sr_0.12CoO₃在低温区域的温度循环对磁化强度的影响,发现在Gd₅Ge₄样品中磁化强度随着温度循环的增加而不断增大,但是在La_0.88Sr_0.12CoO₃样品中温度循环对其磁化强度几乎没有影响.Gd₅Ge₄和La_0.88Sr_0.12CoO₃的直流磁化强度和交流磁化率也进行了测量.Gd₅Ge₄的交流磁化率的峰并不随着频率的增加而向高温区移动,这个现象不同于La_0.88Sr_0.12CoO₃样品的. 通过不同物理参数的测量,证明了Gd₅Ge₄的这种磁玻璃态不同于传统的自旋玻璃态.