盐溶液辅助的溶胶-凝胶法制备粒径可控TiO_2微球

采用盐溶液辅助的溶胶-凝胶法制备了粒径可控的球形TiO2微粒。基于SEM、XRD、IR、TG-DSC等分析手段,系统研究了盐溶液的种类和浓度对微球粒径及粒径分布的影响,并对其生长机理进行了简单分析。实验结果表明,对于不同种类的盐溶液,随着阳离子半径的增大,TiO2微球的粒径变小,这可能是由于阳离子半径越大,其水化半径越小;相同种类的盐溶液浓度越大,TiO2微球的粒径越大,这可能是由于浓度变大,扩散层变薄,同时碰撞机会也增大,聚沉能力增大。     

V_2O_5-WO_3/TiO_2基SCR催化剂的研究进展

SCR是一种新型的脱硝催化技术.概述了选择性催化还原法的反应机理、载体掺杂V2O5-WO3对催化性能的影响,介绍了各种因素对催化剂成型性能的影响,提出了催化剂需要满足的一些条件,分析了技术方面需要解决的一些问题,总结了国内外SCR催化剂的研究现状和发展前景.     

纳米晶氧化亚铜的可控合成

采用软化学法,以氯化铜(CuCl2·2H2O)、氢氧化钠(NaOH)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、抗坏血酸(C6H8O6)等为原料,制备了单分散、粒径可控的不同形貌纳米晶氧化亚铜.探讨了不同PVP加入量对氧化亚铜形貌的影响,并通过XRD、SEM、FT-IR等对最终产物的粒径、形貌进行了表征,同时还测试了不同形貌样品对甲基橙(MeO)的吸附性能.结果表明:通过此方法制备出的晶体为纯相氧化亚铜,结晶性能好,纯度高;产物的分散性好,颗粒尺寸分布均一;PVP的加入量对氧化亚铜形貌有着重要影响,当R(R为PVP与CuCl2·2H2O的物质的量摩尔比)值为0、10、30时,制备的纳米晶氧化亚铜形貌分别为立方体、十四面体和八面体,且平均粒径为900nm;吸附性能测试表明制备的八面体氧化亚铜具有很强的吸附性能.     

无助剂一步合成巢状钨酸铋微球及其光催化性能的研究

采用微波水热法在200℃时制备了形貌均一的正交晶型的巢状微球状的Bi2WO6光催化剂。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)和紫外可见光谱仪(UV-Vis)分别对巢状Bi2WO6微球的结构和形貌进行了表征,同时也考察了Bi2WO6在可见光的照射下对罗丹明B的光催化降解效果。结果表明,在500W氙灯的照射下降解罗丹明B的过程中,巢状Bi2WO6微球表现出良好的光催化活性,这与组成它的纳米片的纳米尺寸效应、微球大的表面积、本身层状堆积结构密切相关,其纳米片堆积起来的巢状结构可以使可见光在层状微球内经过多次散射和反射,延长了可见光传输的光程,增加了可见光的利用率。     

V2O5/TiO2基SCR脱硝催化剂的制备及其催化性能

采用纳米TiO₂为催化剂载体原料,V₂O₅为催化剂,通过混合、球磨、干燥和焙烧等工艺制备选择性催化还原脱硝法催化剂,研究了催化剂的制备工艺和催化性能。通过差热分析研究催化剂的相变和烧结温度,通过模拟烟气分析装置表征催化剂的催化性能。结果表明,加入V₂O₅可以提高催化性能,以6%V₂O₅-94%TiO₂为配方的催化剂对NO的脱除率达97.5%,温度窗口为（300～420） ℃。     

不同晶型BiVO_4微球的制备及其对光催化性能的影响

以Bi（NO3）3、NH4VO3为原料,NaOH为pH调节剂,采用微波水热法在180℃制备了BiVO4微球,分析了不同煅烧温度对晶型、形貌的影响,并进一步探讨了BiVO4晶型与其光催化性能的关系。采用XRD、SEM和UV-Vis吸收光谱对产品进行了分析表征,并以光催化降解亚甲基蓝为模型反应研究BiVO4的光催化性能。结果表明所制备的BiVO4微球是四方相结构,球的直径在1～3μm之间,将其在500℃煅烧后发生晶型转变,600℃煅烧可得到纯单斜相BiVO4微球,且具有良好的可见光催化活性。而且,不同晶型的BiVO4影响亚甲基蓝的降解效果。     

F-TiO_2组装微球的溶胶-微波水热合成及生长机理

采用溶胶-微波水热法使TiO2前驱体微球表面形成自组装介孔结构,得到F掺杂的介孔TiO2微球。利用SEM、TEM、XRD、XPS、PL对样品进行表征,并对其生长机理进行简要的分析。结果表明,微球的直径约为400nm,由于NaF的加入,纳米晶粒(12±0.5)nm和介孔(约10nm)的形成使粗糙度明显增强;F的掺杂没有引起新的萤光现象,但F的掺杂能够增加TiO2微球PL光谱的强度。PL谱表明样品在396和464nm范围内有很强的蓝光发射特性,这与样品的微观结构有很大关系。     

氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究

通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷.采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度.用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频率的微波介电特性.结果表明,随着试样中气孔率的增加,试样的介电常数下降;在Si粉中添加α-Si3N4粉后,虽能提高氮化率,改善组织结构,但外加Si3N4和基体生产的Si3N4存在活性差异,两者结合不紧密,使强度降低;加入α-Si3N4粉使晶相组成中Si2ON2的含量降低,能够改善试样的介电性能.     

氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究

通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷.采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度.用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频率的微波介电特性.结果表明,随着试样中气孔率的增加,试样的介电常数下降;在Si粉中添加α-Si3N4粉后,虽能提高氮化率,改善组织结构,但外加Si3N4和基体生产的Si3N4存在活性差异,两者结合不紧密,使强度降低;加入α-Si3N4粉使晶相组成中Si2ON2的含量降低,能够改善试样的介电性能.