材料与化工专硕研究生实践能力提升的教学研究——以林产品智能包装课程为例

为了提升材料与化工专硕研究生的实践创新能力,提出了基于课程教学的创新举措,并以林产品智能包装课程为例,分别从重构课程教学内容、创新课程教学方法以及改革课程考核形式等方面阐述了改革路径与方案。     

大型高速离心机臂架深腔槽加工工艺研究

针对大型高速土工离心机臂架上的三角形深腔槽,进行加工工艺分析、研究,通过优选刀具、优化切削方法,提高加工效率、减少刀具的消耗,保证加工质量。     

不同氩气气压下钒靶HIPIMS放电特性的演变

目的以V靶为例,研究高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)放电时不同工作气压下靶脉冲电流及等离子体发射光谱的表现形式和演变规律,为HIPIMS技术的进一步广泛应用提供理论依据。方法利用数字示波器采集HIPIMS脉冲放电电流波形,并利用发射光谱仪记录不同放电状态下的光谱谱线,分析不同气压下V靶HIPIMS放电特性的演变规律。同时,利用HIPIMS技术成功制备了V膜,并利用扫描电子显微镜观察了V膜的截面形貌。结果不同氩气气压下,随着靶脉冲电压的增加,靶电流峰值、靶电流平台值及靶电流平均值均单调增加,而且增加的速度越来越快,但靶电流峰值的增加速度明显高于平台值,这是由于脉冲峰值电流由气体放电决定所致。不同气压下,Ar0、Ar+、V0和V+四种谱线峰的光谱强度均随靶电压的增加而增加,相同靶电压时,其光谱强度随着气压的增加而增加。当气压为0.9 Pa、靶电压为610 V时,Ar和V的离化率分别为78%和35%。此外,利用HIPIMS技术制备的V膜光滑、致密,无柱状晶生长形貌特征。结论较高的工作气压和靶脉冲电压有利于获得较高的系统粒子离化率,但HIPIMS放电存在不稳定性。合适的工作气压是获得优质膜层的关键。     

温度对空间精密轴承预紧力的影响

从空间精密轴系用轴承的轴向游隙和刚度角度,分别分析了工作温度及其梯度对全钢轴承和陶瓷球混合轴承预紧力的影响,以及背靠背和面对面2种安装方式的影响差异,明确了量化估算方法。根据隔圈受力变化与预紧力的关系,采用基于应变的预紧力在线测试方法,分别实测了不同温度下全钢轴承轴系和混合轴承的预紧力,结果表明实测结果与分析结果基本一致。     

基于J2EE的某军事训练考核系统的设计和实现

介绍了J2EE的四层结构,并阐述了某军事训练考核系统设计和开发过程，最后对电子军务应用系统平台的发展     

改进的基于STUMPS架构的BIST电路设计

传统的STUMPS测试方法,存在测试时间长和故障覆盖率不够高的缺点.为减少测试时间,采用Test-Per-Clock方式和向量压缩的方法处理待测电路CUT;减少了测试时间;用随机测试模式加存储测试模式,来提高故障覆盖率.经ISCAS'85标准测试电路验证,新方案取得了令人满意的结果.     

新型红光LED中ITO的特性研究

用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED 所用的ITO(indium tin oxide)膜。利用TLM(transmission line model)研究ITO与GaP接触特性。在氮气环境,435℃条件下,快速热退火40s能获得最小的接触电阻4.3×10-3Ωcm2。Hall测试和俄偈电子能谱表明,影响接触电阻的主要原因是ITO载流子浓度的改变和In,Ga,O的扩散。另外,制作了以300nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED并研究其可靠性。发现ITO的退化导致了LED的电压持续升高。而ITO与GaP热膨胀系数的不同导致了LED的最终失效。     

静压管桩工程的质量控制实践

静压式预应力管桩因其具有施工工期短、质量可靠、安全、低噪音等优点,随着此项施工工艺在本市的大力推广,已被各投资方在多项工程建设中广泛使用."百年大计、质量第一",基础工程是建筑结构的重要组成部分,只有基础牢固才能确保建筑的安全.本文就如何能控制好管桩的施工质量,指出是涉及到基础结构安全的重大问题.     

外部磁场对电-磁场协同增强HiPIMS放电及V膜沉积与性能的调制

为了获得新型HiPIMS稳定放电及制备优质膜层时的最优外部磁场参数,研究外部磁场变化对电-磁场协同增强高功率脉冲磁控溅射((E-MF)HiPIMS)放电及沉积特性的调制过程。在其他工艺参数保持不变的情况下,研究了外部磁场(线圈电流)对HiPIMS钒(V)靶放电规律以及V膜微观结构和性能的影响。采用数字示波器监测HiPIMS放电行为,利用XRD、SEM、AFM、摩擦磨损试验机及电化学腐蚀法等表面分析方法,研究V膜相结构、表面形貌、截面形貌、耐摩擦磨损性能及耐腐蚀性能等沉积特性。结果表明:随线圈电流的增加,基体离子电流密度逐渐增加,当线圈电流为6 A时基体离子电流密度最高可达209.2 mA/cm~2。V膜的相结构仅为V(111)但其晶面衍射峰强度随线圈电流的增加而逐渐增加。V膜表面呈现出典型的圆凹坑状形貌特征,其表面粗糙度先减小后增大且最小仅为10 nm。当线圈电流(4 A)较低时V膜生长表现为致密细小的晶体生长结构,膜层沉积速率随着线圈电流的增加而增加。当线圈电流为4 A时,V膜样品的摩擦系数最小、耐磨性最优,同时V膜样品具有最好的耐蚀性。