SrTiO_3基BLC二次烧成过程中显微结构的观察与分析

利用高温金相显微镜、SEM/EDAX和反光显微镜对以SrTiO_3为基的边界层陶瓷电容器(BLC)的烧结过程和绝缘化以后的晶粒和晶界结构进行了观察和分析。研究结果表明,掺有CuO和GeO_2的SrTiO_3的烧结过程为有液相参加的反应液相烧结,半导化以后的陶瓷的绝缘可以通过气相扩散和液相扩散的方式进行。气相扩散绝缘化过程是以离子扩散为主的沿晶界的扩散,金属离子和氧气同时向晶界扩散,氧的扩散使晶界区域发生氧化而绝缘,金属离子的扩散有利于晶界阻挡层的形成。液相扩散绝缘化过程与R.Wernicke提出的选择熔化理论相符,但晶界不一定要富钛。     

利用浆料直写无模成型技术制备自支撑TiO2光降解器件

介绍了一种基于光敏特性陶瓷浆料的浆料直写无模三维成型技术制备的线条直径为270μm的TiO2木堆结构光降解器件.对光敏浆料的配制方法、浆料直写无模成型的工艺原理进行了研究;利用TEM和XRD表征光敏浆料中TiO2粉体的形貌和物相;对器件的光降解性能进行了分析与测试;利用光学显微镜和SEM对成型后的样品结构、尺寸及表面微观形貌进行了分析,并基于此分析给出了这种器件高催化效率的原因.实验结果显示,该器件具有完整的三维木堆结构,表面粗糙多孔,极大地增加了光催化的作用面积,从而使其具有较高的光降解效率.在紫外光照射10min后,初始浓度为4mg/L的亚甲基蓝溶液降解率达到76%,紫外光照射20min后,亚甲基蓝溶液降解率可达91%.     

多层压电陶瓷降压变压器的环境测试研究

电压增益、输出功率、效率是表征压电变压器(MPT)工作性能的3个重要参数。使用为华公司提供的径向振动型多层压电陶瓷降压变压器,测量其基本电学性能;温度对导纳圆等阻抗特性的影响;温度对其基本电学性能的影响等。综合研究降压变压器的环境温度稳定性。结果表明:压电变压器环境稳定性良好,但长时间剧烈的环境变化会对其使用性能产生一定影响,高温环境对其影响比较大。     

高温压电陶瓷研究进展

评述了碱金属铌酸盐、钨青铜结构、铋层状结构和钙钛矿结构等高温压电陶瓷体系的结构和性能,重点介绍了复合钙钛矿固溶体系Bi(Me)O3-PbTiO3的研究进展.总结了影响压电陶瓷Curie温度的影响因素.提出了高温压电陶瓷今后的研究方向:一方面根据容差因子和Curie温度的关系开发新的高温压电体系:另一方面通过掺杂改性和工艺优化增加钙钛矿结构的稳定性并提高其性能.     

人工神经网络在优化BaTiO3陶瓷配方研究中的应用

首次将人工神经网络技术用于介电陶瓷的配方性能分析。以BaTiO3为研究对象选取了几种掺杂剂，在均匀实验设计的基础上，用BP人工神经网络对所得实验结果进行了分析，建立了相应配方的数学模型并将其与多重非线性回归模型的结果进行了比较。通过对人工神经网络配方数学模型的二次分析，得到了比多重非线形回归模型更加丰富的配方信息和内在规律，并且用图形化方式直观地表达了出来。在进一步对配方结果的优化和验证的基础上发现实验结果能够较好地符合理论预测，说明人工神经网络对于获得多性能指标要求介电陶瓷的最优化配方具有较好的指导作用。     

内电极浆料的组成对多层陶瓷器件共烧行为的影响

针对７０Ａｇ－３０Ｐｄ电极浆料和铅基钙钛矿驰豫铁电陶瓷组成的多层体系的共烧行为进行研究。在非等温烧结过程中，内电极和功能陶瓷相不匹配的致密化被认为是导致界面共烧缺陷的主要原因。内电极浆料中添加适量的陶瓷粉明显地调整了Ａｇ－Ｐｄ浆料的致密化机制。结果显示了一个极其相似的烧结致密化行为存在于内电极和陶瓷相之间。此外，微结构的观察说明了陶瓷粉的掺杂也显著地改善了内界面的粘接。     

(Sr,Pb)TiO3超微粉体的制备和性质

应用草酸盐共沉淀法制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３超细粉体，分析了共学淀产物的热分解过程，确定了昌化温度和煅烧条件，同时，测量了粉示的晶粒尺寸，标定了材料的晶体结构，试验了粉体的烧结条件。     

Bi_2O_3对自燃烧法合成NiZnCu铁氧体的显微结构与性能的影响

以金属硝酸盐和柠檬酸为原料 ,应用溶胶 -凝胶法与自燃烧结合的方法制备了 Ni Zn Cu铁氧体微细粉。文章主要讨论了溶胶 -凝胶与自燃烧法结合制备 Ni Zn Cu铁氧体粉末的新方法 ,对 Bi2 O3掺杂的低温烧结 Ni Zn Cu铁氧体从烧结性质、结构与相组成、显微形貌、磁性质方面进行了研究 ,在此基础上分析了 Bi对材料形成过程和磁化机制的影响 ,并解释了掺杂量对材料磁性能的综合作用     

Sm2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR效应

施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明：随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。     

低损耗、高Qm值Pb（Nb2／3Mn1／3）O3—Pb（Sb2／3Mn1／3）O3—PZT材料

研究了组分变化及掺杂对四元系Pb(Nb2/3Mn1/3)O3-Pb(Sb2/3Mn1/3）O3－PZT压电材料性能的影响,发现Zr/Ti比值在准同型相界附近该材料有最大的压电常数d33,而机械品质因数Qm值较小;Zr/Ti比偏离该相界时则机械品质因数Qm升高,相应的压电常数d33减小。通过改变Pb(Nb2/3Mn1/3)O3、Pb(Sb2/3Mn1/3)O3两组分的含量及掺入Sr、Ce等杂质,获得的材料介电损耗为0.14%,机械品质因数为2341,压电常数为216pC/N。